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产品展示
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一、产品概述
BSS83 是萨科微采用先进沟槽工艺生产的 - 60V 小信号 P 沟道增强型 MOSFET，采用通用 SOT-23 贴片封装，额定连续电流 - 0.33A，具备超低栅电荷、高速开关特性，支持 - 4.5V 逻辑电平驱动。器件体积小巧、占用 PCB 面积小，专为便携数码、显示设备、小型信号开关场景设计，无铅无卤符合环保标准，适配全自动 SMT 贴片生产。引脚俯视排布：D 漏极、G 栅极、S 源极。
二、产品特性
- 基础规格：单路 P 沟道 MOSFET，SOT-23 标准贴片封装，RoHS 无铅、无卤环保器件
- 耐压参数：漏源击穿电压 VDSS=-60V；栅源耐压 VGS=±20V
- 电流能力（TA=25℃）
- 连续漏极电流 ID=-0.33A
- 脉冲峰值电流 IDM=-1.2A
- 体二极管持续正向电流 IS=-0.33A
- 热性能参数
- TA=25℃最大耗散功率 PD=0.35W
- 结到环境热阻 RθJA=350℃/W
- 工作温度：结温、存储温度区间 - 50℃ ~ +150℃
- 导通电阻 RDS (on)
- VGS=-10V，ID=-0.33A：典型 1.4Ω，最大 2.0Ω
- VGS=-4.5V，ID=-0.27A：典型 2.0Ω，最大 3.0Ω
- 栅阈值 VGS (th)：最小值 - 1.0V，典型 - 1.5V，最大值 - 2.0V
- 动态电容与开关
- 输入电容 Ciss 典型 60pF，输出 Coss19pF，反向 Crss 仅 8pF，驱动损耗极低
- 总栅电荷 Qg 典型 1.77nC；开通延迟 2.5ns、上升 1ns，关断延迟 16ns、下降 8ns，开关速度极快
- 漏电指标：关态 IDSS≤-1μA，栅极漏电流 IGSS≤±100nA，待机功耗极低
- 内置源漏体二极管，Is=-0.24A 时正向压降最大 - 1.5V，可用于小型电感续流
三、产品优势
- 60V 高压耐压相比常规 20/30V 小信号 MOS，电压余量更大，适配 12/24V 控制回路，抗尖峰击穿能力更强。
- 超低栅电荷、高速切换极小栅电容，纳秒级开关，适合高频信号切换、高速电源门控。
- 双电压驱动兼容-4.5V 主控 IO 可直接驱动，无需负压转换电路，简化外围设计。
- 超小 SOT-23 封装行业通用微型贴片，节省 PCB 空间，适配耳机、穿戴、显示器等紧凑设备。
- 脉冲耐受充足短时峰值 - 1.2A，可承受上电瞬时浪涌电流。
- 极低静态漏电关断状态微安级漏电流，电池供电产品待机损耗小，延长续航。
- 环保合规无铅无卤，满足消费电子、工控环保采购要求。
- 标准化编带出货，自动化贴片良率高，批量采购成本低廉。
四、应用领域
- 蓝牙耳机、智能手环、便携数码小型电源开关
- 显示器、监视器背光、信号电平切换回路
- 小型传感器、无线模块供电控制
- 低压信号隔离、逻辑电平转换电路
- 小家电遥控板、指示灯驱动开关
- 12V 以内小型设备负载、保护控制回路
- 笔记本、平板周边微型外设电源门控
五、注意事项
- 极性区分P 沟道器件 VDS、VGS 均为负压，接线不可颠倒，防止栅氧化层永久击穿。
- 电流降额使用连续工作不得超过 0.33A，仅短时允许 1.2A 脉冲；SOT-23 散热较差，满载需加大漏极铜箔，结温严禁超过 150℃。
- 静电防护MOS 栅极输入阻抗极高，仓储、焊接、装配全程佩戴防静电工具。
- 电压限制长期漏源电压不可超过 - 60V，栅极电压控制在 ±20V 以内。
- 感性负载处理驱动小型线圈、继电器时额外增加续流二极管吸收反向尖峰。
- 驱动选型大负载优先使用 - 10V 栅压降低导通电阻，轻载可采用 - 4.5V 逻辑驱动。
- PCB 布线栅极走线细且短，可串联小电阻抑制高频振荡，降低 EMI 干扰。
- 焊接管控回流焊峰值温度不超 260℃，缩短高温停留时间，避免封装塑封受损。
名称
标题
说明
数据手册
支持
2SK3018W低压MOS管
品牌： 萨科微， Package： SOT-323 VDSS(V)： 30V Id(A)： 300mA RDSON(Ω)： 8Ω@10V,3A VTH： 1.5V@250μA P/N： N沟道
2SK3018低压MOS管
品牌： 萨科微， Package： SOT-23 VDSS(V)： 30V Id(A)： 100mA RDSON(Ω)： 7.5mΩ@10V,400mA VTH： 2V@100uA P/N： N沟道
2SK3019低压MOS管
品牌： 萨科微， Package： SOT-523 VDSS(V)： 30V Id(A)： 0.1A RDSON(Ω)： 8Ω@4V,10mA VTH： 0.8V@100μA P/N： N沟道
BSN20低压MOS管
品牌： 萨科微， Package： SOT-23 VDSS(V)： 50V Id(A)： 3A RDSON(Ω)： 3Ω@4.5V VTH： 1.5V@250μA P/N： N沟道
BSS138KDW低压MOS管
品牌： 萨科微， Package： SOT-363 VDSS(V)： 50V Id(A)： 200mA RDSON(Ω)： 6Ω@4.5V VTH： - P/N： 双N沟道
BSS205N低压MOS管
品牌： 萨科微， Package： SOT-23 VDSS(V)： 20V Id(A)： 2.5A RDSON(Ω)： 40mΩ@4.5V,2.5A VTH： 0.7V@11μA P/N： N沟道
BSS8402DW低压MOS管
品牌： 萨科微， Package： SOT-363 VDSS(V)： 50V Id(A)： 130mA VTH： - P/N： N+P 互补
BSS84低压MOS管
品牌： 萨科微， Package： SOT-23 VDSS(V)： 50V Id(A)： 130mA RDSON(Ω)： 10Ω@5V,100mA VTH： 2.5V@250uA P/N： P沟道
FDN302P低压MOS管
品牌： 萨科微， Package： SOT-23 VDSS(V)： 20V Id(A)： 2.4A RDSON(Ω)： 44mΩ@-4.5V,-2.4A VTH： -1V@-250μA P/N： P沟道
FDN304P低压MOS管
品牌： 萨科微， Package： SOT-23 VDSS(V)： 20V Id(A)： 2.4A RDSON(Ω)： 36mΩ@-4.5V,-2.4A VTH： -0.7V@-250μA P/N： P沟道
深圳市萨科微半导体有限公司
技术骨干来自清华大学和韩国延世大学，以新材料新工艺新产品引领公司发展，深耕第三代半导体碳化硅功率器件技术。产品主要有二极管三极管、功率器件、电源管理芯片等集成电路三大系列。萨科微从最初的IP设计公司已发展成为集设计研发、生产制造、销售服务一体化的高新科技企业。“slkor”品牌在国际上的影响力和美誉度日增，为全世界数万家客户提供产品和配套的技术服务！
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