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IRLML9303-SL低压MOS管
IRLML9303-SL 是一款 - 30V P 沟道增强型 MOSFET，采用通用 SOT-23 贴片封装，标准引脚定义兼容市面同规格器件，适配现有贴片产线无需改工艺。额定连续电流 - 2.3A，支持 - 4.5V 低压逻辑驱动，导通电阻低、栅电荷小，开关性能均衡，主要用于各类设备系统电源、负载开关电路，无铅无卤符合 RoHS 环保要求，适合消费数码、工控小板紧凑化电源设计。引脚俯视排布：D 漏极、G 栅极、S 源极。
品牌名称:Slkor(萨科微)
商品型号:IRLML9303-SL
商品封装:SOT-23
包装方式:编带
商品毛重:0.034833克(g)
一、产品概述
IRLML9303-SL 是一款 - 30V P 沟道增强型 MOSFET，采用通用 SOT-23 贴片封装，标准引脚定义兼容市面同规格器件，适配现有贴片产线无需改工艺。额定连续电流 - 2.3A，支持 - 4.5V 低压逻辑驱动，导通电阻低、栅电荷小，开关性能均衡，主要用于各类设备系统电源、负载开关电路，无铅无卤符合 RoHS 环保要求，适合消费数码、工控小板紧凑化电源设计。引脚俯视排布：D 漏极、G 栅极、S 源极。
二、产品特性
- 基础规格：单路 P 沟道 MOSFET，SOT-23 通用贴片封装，无铅、无卤、RoHS 合规
- 耐压参数：漏源击穿电压 VDSS=-30V；栅源极限电压 ±20V
- 电流规格（TA=25℃）
- 连续漏极电流 ID：-2.3A
- 脉冲峰值电流 IDM：-12A
- 体二极管持续正向电流 IS：-2.3A
- 热性能指标
- 25℃环境最大耗散功率 PD=1.25W
- 结到环境热阻 RθJA=100℃/W
- 温度范围：结温、存储温度 - 55℃ ~ +150℃
- 导通电阻 RDS (on)
- VGS=-10V，ID=-2.3A：典型 135mΩ，最大 165mΩ
- VGS=-4.5V，ID=-1.8A：典型 220mΩ，最大 270mΩ
- 栅阈值 VGS (th)：最小值 - 1.3V，最大值 - 2.4V
- 动态开关参数 总栅电荷 Qg 典型 6.1nC，输入电容 Ciss=190pF；开通延迟 4ns、上升 22ns，关断延迟 2ns、下降 27ns，开关损耗低
- 漏电特性 零栅压漏电流 IDSS≤-1μA，栅极漏电流 IGSS≤±100nA，待机功耗极低
- 内置源漏体二极管，Is=-1.3A 时正向压降最大 - 1.2V，可承担电感续流
三、产品优势
- 通用标准引脚行业标准 SOT-23 管脚定义，可直接兼容替代同类 P 沟道 MOS，无需修改 PCB。
- 高低压双驱动适配-4.5V 主控 IO 可直接驱动，省去负压升压外围电路。
- 小封装承载大电流SOT-23 体积紧凑，可持续输出 2.3A 电流，适配空间受限产品。
- 低导通内阻-10V 驱动下最大仅 165mΩ，大电流回路发热更少，电源转换效率更高。
- 均衡开关特性栅电荷低，开关速度快，适合中高频负载切换、小型 DC-DC。
- 脉冲耐受能力强短时峰值电流 - 12A，可抵御开机浪涌、插拔瞬时冲击。
- 环保兼容无铅无卤设计，满足消费电子、工业设备环保采购标准。
- 适配全自动 SMT 贴片，编带供货，量产组装稳定、成本可控。
四、应用领域
- 笔记本、平板、工控主板系统电源、多路负载开关
- 锂电池充电宝、便携储能设备高侧电源控制
- TWS 耳机、智能穿戴、小型仪器供电切换回路
- 12V 以内小型 DC-DC 升降压、同步整流辅助管
- 小型直流风扇、微型电机低压驱动电路
- 智能家居无线模块、摄像头模组电源门控
- 车载小型控制板、低压照明 LED 驱动开关
五、注意事项
- 极性区分P 沟道器件 VDS、VGS 均为负压，接线不可接反，避免栅氧化层击穿。
- 散热降额SOT-23 封装散热有限，满载 2.3A 时漏极需大面积铺铜；环境升温需降低工作电流，结温不可超过 150℃。
- 静电防护栅极输入阻抗极高，仓储、焊接、装配全程使用防静电工具。
- 电压限值长期工作漏源电压不超过 - 30V，栅极电压控制在 ±20V 以内。
- 感性负载处理驱动电机、线圈时依靠内置二极管续流；高频场景增加 RC 吸收回路抑制电压尖峰。
- 驱动电压选型满载工况优先采用 - 10V 栅压降低导通损耗；轻载可使用 - 4.5V 逻辑驱动。
- 脉冲使用规范-12A 仅允许短时脉冲，禁止长时间、高占空比大脉冲持续工作。
- PCB 布线建议漏极走线加宽铺铜散热；栅极走线短细，串联 10~50Ω 电阻抑制高频 EMI 振荡。
名称
标题
说明
数据手册
支持
2SK3018W低压MOS管
品牌： 萨科微， Package： SOT-323 VDSS(V)： 30V Id(A)： 300mA RDSON(Ω)： 8Ω@10V,3A VTH： 1.5V@250μA P/N： N沟道
2SK3018低压MOS管
品牌： 萨科微， Package： SOT-23 VDSS(V)： 30V Id(A)： 100mA RDSON(Ω)： 7.5mΩ@10V,400mA VTH： 2V@100uA P/N： N沟道
2SK3019低压MOS管
品牌： 萨科微， Package： SOT-523 VDSS(V)： 30V Id(A)： 0.1A RDSON(Ω)： 8Ω@4V,10mA VTH： 0.8V@100μA P/N： N沟道
BSN20低压MOS管
品牌： 萨科微， Package： SOT-23 VDSS(V)： 50V Id(A)： 3A RDSON(Ω)： 3Ω@4.5V VTH： 1.5V@250μA P/N： N沟道
BSS138KDW低压MOS管
品牌： 萨科微， Package： SOT-363 VDSS(V)： 50V Id(A)： 200mA RDSON(Ω)： 6Ω@4.5V VTH： - P/N： 双N沟道
BSS205N低压MOS管
品牌： 萨科微， Package： SOT-23 VDSS(V)： 20V Id(A)： 2.5A RDSON(Ω)： 40mΩ@4.5V,2.5A VTH： 0.7V@11μA P/N： N沟道
BSS8402DW低压MOS管
品牌： 萨科微， Package： SOT-363 VDSS(V)： 50V Id(A)： 130mA VTH： - P/N： N+P 互补
BSS84低压MOS管
品牌： 萨科微， Package： SOT-23 VDSS(V)： 50V Id(A)： 130mA RDSON(Ω)： 10Ω@5V,100mA VTH： 2.5V@250uA P/N： P沟道
FDN302P低压MOS管
品牌： 萨科微， Package： SOT-23 VDSS(V)： 20V Id(A)： 2.4A RDSON(Ω)： 44mΩ@-4.5V,-2.4A VTH： -1V@-250μA P/N： P沟道
FDN304P低压MOS管
品牌： 萨科微， Package： SOT-23 VDSS(V)： 20V Id(A)： 2.4A RDSON(Ω)： 36mΩ@-4.5V,-2.4A VTH： -0.7V@-250μA P/N： P沟道
深圳市萨科微半导体有限公司
技术骨干来自清华大学和韩国延世大学，以新材料新工艺新产品引领公司发展，深耕第三代半导体碳化硅功率器件技术。产品主要有二极管三极管、功率器件、电源管理芯片等集成电路三大系列。萨科微从最初的IP设计公司已发展成为集设计研发、生产制造、销售服务一体化的高新科技企业。“slkor”品牌在国际上的影响力和美誉度日增，为全世界数万家客户提供产品和配套的技术服务！
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