SiC MOSFET面临的栅极氧化层相关可靠性问题是什么？该如何改善？

2025-12-03 10:41:25 9

SiC MOSFET 的栅极氧化层因 SiC、SiO₂界面外在缺陷多，且 SiC 器件栅极电场强度远高于硅 IGBT，易出现偏置温度不稳定性，导致阈值电压（Vth）偏移。尤其在电动汽车牵引等场景中，栅极开关达千亿次，双极交流栅极应力会加剧该问题。改善方式包括对栅极氧化层进行氮化处理以降低界面缺陷，采用沟槽 MOSFET 结构，用更厚栅极氧化层提升高压屏蔽能力，同时通过筛选外在缺陷，减少器件个体差异。

【简介】

萨科微有碳化硅SiC二极管、碳化硅SiC MOS管、IGBT管、第五代超快恢复功率二极管等高端产品，可满足新能源汽车、高端装备、通讯电力、太阳能光伏、医疗设备、工业互联网等行业需求；萨科微通用型产品有肖特基二极管、 ESD静电保护二极管、TVS瞬态抑制二极管等通用二极管和三极管，功率器件有高中低压的MOS管、可控硅、桥堆等，和电源管理芯片LDO、AC-DC、DC-DC 芯片系列、还有传感器、高速光耦、晶振等为客户提供配套服务，在智能手机、手提电脑、机器人、智慧家居、物联网、LED照明、3C数码、智能穿戴品、万物智联等产品上面广泛应用！萨科微的兄弟公司——金航标，产品销往世界各地，服务超一万家客户，产品有北斗GPS双模天线、蓝牙、WiFi、Zigbee、 NB-IoT、LORA、UWB、天线系列，及配套的射频转接线；现在产品拓展到板与线的各种连接器、板端座子、接插件、信号开关系列；及汽车摩托车线束，工业、医疗、科研用特种线材，非标定制品等三大系列，与萨科微一起为电子整机产品公司提供配套服务。

6388109031625683594473354

上一篇：: 传感器和变送器的区别是什么？

下一篇：: 功率器件的额定电流设定需考虑哪些关键因素？

SiC MOSFET面临的栅极氧化层相关可靠性问题是什么？该如何改善？

客服QQ2635709730

客服QQ
2635709730