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瞬态抑制二极管MMBZ15VDLT1G 瞬态抑制二极管MMBZ15VDLT1G 瞬态抑制二极管MMBZ15VDLT1G
瞬态抑制二极管MMBZ15VDLT1G

反向截止电压(Vrwm):15V

击穿电压(最小值):14.3V

穿电压([敏感词]值):15.8V

反向漏电流(Ir):1mA

[敏感词]钳位电压:21.2V

产品详情

**瞬态抑制二极管 MMBZ15VDLT1G - 产品详情**


**产品概述:**

瞬态抑制二极管 MMBZ15VDLT1G 是一款用于电路中抑制瞬态过电压的元件。它能够保护电路免受电压峰值和快速变化的干扰,确保电路的稳定工作。该二极管具有反向截止电压为15V,击穿电压范围为14.3V至15.8V。它可以承受最大钳位电压为21.2V的过电压,并具有较低的反向漏电流。


**主要特点:**

1. 瞬态抑制性能: MMBZ15VDLT1G 瞬态抑制二极管能够有效抑制电路中的瞬态过电压,保护后续电路免受过电压的损害。

2. 反向截止电压: 该二极管具有15V的反向截止电压,即在正常工作条件下,电压不会超过该值。

3. 低反向漏电流: MMBZ15VDLT1G 具有1mA的反向漏电流,有助于保持电路的稳定性。

4. 高击穿电压范围: 该二极管的击穿电压范围为14.3V至15.8V,提供了较大的电压容忍能力。

5. 封装类型: SOT-23 封装,便于安装和集成到电子电路中。


**产品特性:**

- 生产商: 萨科微(Slkor)

- 反向截止电压(Vrwm): 15V

- 击穿电压(最小值): 14.3V

- 穿电压(最大值): 15.8V

- 反向漏电流(Ir): 1mA

- 最大钳位电压: 21.2V

- 封装: SOT-23


**应用领域:**

瞬态抑制二极管 MMBZ15VDLT1G 广泛应用于各种电子电路中,特别适用于以下领域:

- 电源线路的瞬态过电压保护

- 通信设备和网络设备中的电路保护

- 汽车电子系统中的电路保护

- 工业控制电路的瞬态过电压抑制


请注意,以上信息仅为参考,具体的产品规格以及应用细节,请参阅厂商提供的数据手册或联系萨科微(Slkor)进行进一步查询和确认。

MMBZ15VDLT1G SOT-23_00.png

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