低压MOS管2SK3019

低压MOS管2SK3019

30V低压设计,0.1A小电流,4V/10mA下导阻8Ω,0.8V低阈值电压,适用于传感器、低功耗开关等精细电流控制场景。

类型:N沟道
漏源电压(Vdss):30V
连续漏极电流(Id):0.1A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):8Ω@4V,10mA
阈值电压(Vgs(th)@Id):0.8V@100μA

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产品介绍:2SK3019 低压N沟道MOS管


一、产品概述

萨科微slkor低压MOS管2SK3019是一款专为低压应用设计的N沟道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),以其低漏源电压、小电流处理能力以及稳定的电气性能,成为众多低压电子系统的优选元件。这款MOSFET在信号切换、电流控制等精细电子应用中表现 .,为设计者提供了灵活且可靠的解决方案。


二、产品特性

低压设计:拥有低至30V的漏源电压(Vdss),适合在低压环境下工作,确保电路的安全性和稳定性。

小电流处理能力:连续漏极电流(Id)达到0.1A,适用于需要精细电流控制的场景,如传感器接口、低功率开关等。

低导通电阻:在4V的栅极电压(Vgs)和10mA的漏极电流(Id)条件下,导通电阻(RDS(on))仅为8Ω,有助于减少能量损失,提高电路效率。

低阈值电压:阈值电压(Vgs(th)@Id)仅为0.8V@100μA,意味着在低电压下即可轻松开启,适用于需要快速响应和低功耗的应用。


三、产品优势

高精度控制:小电流处理能力使得2SK3019在需要精细电流调节的场合中表现 .,如精密测量仪器、传感器电路等。

低功耗:低导通电阻和低阈值电压共同作用下,有效降低了器件在工作时的功耗,延长了电池寿命,适用于便携式设备和低功耗系统。

快速响应:低阈值电压使得MOSFET能够迅速响应控制信号,提高了系统的动态性能和稳定性。

易于集成:小型封装设计便于与其他电子元件集成,节省了PCB空间,简化了电路设计。


四、应用领域

2SK3019广泛应用于以下领域:

消费电子:在智能手机、平板电脑、可穿戴设备等消费电子产品中,用于电源管理、信号切换等。

传感器技术:作为传感器接口电路的关键元件,实现精细的电流控制和信号放大。

汽车电子:在汽车电子系统中,用于低功率开关、灯光控制等,提供稳定的低压电力支持。

工业自动化:在需要精细电流调节的工业自动化控制系统中,如精密机械控制、机器人手臂等。


五、注意事项

电压限制:请确保在实际应用中不超过器件的额定电压(Vdss),以防止击穿损坏。

电流控制:虽然连续漏极电流较小,但在设计电路时仍需合理控制电流,避免过载。

静电防护:在安装和使用过程中,应采取静电防护措施,避免静电放电对器件造成损害。

散热设计:虽然功耗较低,但在高密度集成或长时间工作的应用中,仍需注意散热设计,以防过热。

存储与运输:请按照产品手册中的建议进行存储和运输,避免暴露在极端温度、湿度或腐蚀性环境中。





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