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MOS场效应管
低压MOS管
类型:N沟道
漏源电压(Vdss) :30V
连续漏极电流(Id):100mA
功率(Pd):200mW
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):7.5mΩ@10V,400mA
阈值电压(Vgs(th)@Id):2V@100uA
栅极电荷(Qg@Vgs) -
输入电容(Ciss@Vds):50pF@25V
反向传输电容(Crss@Vds) -
工作温度:+150℃@(Tj)
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