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产品名称：低压MOS管2SK3018
2SK3018是一款N沟道低压MOS管，主要应用于低电压、低电流场合的开关电路中。该产品具有以下特点：
- 漏源电压：30V，适用于低电压场合。
- 连续漏极电流：100mA，适用于低电流场合。
- 功率：200mW，适用于小功率场合。
- 导通电阻：7.5mΩ@10V,400mA，具有低导通电阻，能有效减小功率损耗。
- 阈值电压：2V@100uA，具有低阈值电压，可保证设备在低电平下能够准确导通。
- 输入电容：50pF@25V，输入电容小，响应速度快。
- 工作温度范围：-55℃~+150℃@(Tj)，适用于工作温度要求较高的场合。
- 封装：SOT-23，体积小，适用于紧凑型电路设计。
2SK3018主要应用于低电压、低电流场合的开关电路中，如电源管理、电池管理、LED驱动等领域。该产品性能稳定，能够提高系统效率和可靠性。
关于萨科微 Slkor：
萨科微 Slkor是一家致力于提供高品质、高性能半导体器件的制造商，拥有先进的技术和严格的质量控制体系，为客户的设计提供最佳的解决方案和支持
| 文件名称 | 标题 | 说明 |
|---|---|---|
| 2SK3018.pdf | 2SK3018 | - |
支持
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Longevity
The Longevity Program is aimed to provide our customers information from time to time about the expected time that our products can be ordered. The NLP is reviewed and updated regularly by our executive Management Team. View our longevity program here.
类型:N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：3A 功率(Pd)：350mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：8Ω@10V,3A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@250μA
低漏源电压：20V 连续漏极电流：2.8A 小尺寸封装：SOT-23 导通电阻：112mΩ@4.5V,2.8A 阈值电压：1V@250μA
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):25V 连续漏极电流(Id):0.22A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4Ω@4.5V,0.4A 阈值电压(Vgs(th)@Id):0.8V@250uA 封装：SOT-23
类型:P沟道 漏源电压(Vdss):-20V 连续漏极电流(Id):-1.3A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):105mΩ@-4.5V,-1.3A 阈值电压(Vgs(th)@Id):-0.7V@-250uA 封装：SOT-23
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):2A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):40mΩ@4.5V,2.0A 阈值电压(Vgs(th)@Id):0.7V@250uA 封装：SOT-23
类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：50V 连续漏极电流(Id)：3A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：3Ω@4.5V 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@250μA
类型:P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):4A 功率(Pd):2.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):60mΩ@10V,4A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.3V@250μA
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):4A 功率(Pd)：1.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):50mΩ@10V,4A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.5V@250μA
