低压MOS管FDN336P

低压MOS管FDN336P

-20V漏源电压,-1.3A电流,105mΩ导通电阻@-4.5V,-1.3A,-0.7V阈值电压@-250μA,SOT-23封装。

类型:P沟道
漏源电压(Vdss):-20V
连续漏极电流(Id):-1.3A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):105mΩ@-4.5V,-1.3A
阈值电压(Vgs(th)@Id):-0.7V@-250uA
封装:SOT-23

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产品名称:MOS管 FDN336P


生产商:萨科微 Slkor


产品类型:P沟道


产品概述:

FDN336P 是一款由萨科微(Slkor)生产的 P沟道 MOS场效应管,专为负载开关和功率管理应用而设计。其紧凑的 SOT-23 封装和低阈值电压使其适用于各种小型电子设备。


电性能参数:

漏源电压(Vdss): -20V

连续漏极电流(Id): -1.3A

导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id): 105mΩ @ -4.5V, -1.3A

阈值电压(Vgs(th)@Id): -0.7V @ -250uA

封装类型: SOT-23

产品特点:

负载开关应用: 适用于负载开关和功率管理电路。

小型封装: SOT-23 封装适用于有限空间和轻量化设计。

低阈值电压: -0.7V 的阈值电压有助于降低驱动电路的功耗。

应用领域:

移动电子设备: 用于手机、平板电脑等便携式设备。

电源管理: 在小型电源单元中发挥作用。

负载开关: 适用于需要高效能耗的负载开关电路。

注意: 以上信息仅供参考,请查阅详细的产品规格表以获取准确和*新的数据。如需更多信息或特定要求,请随时联系我们。



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