低压MOS管FDV305N

低压MOS管FDV305N

FDV305N:20V低压操作,0.9A小电流,170mΩ导阻,1V适中阈值电压,适用于低压电路、传感器、指示灯驱动。

类型:N沟道
漏源电压(Vdss):20V
连续漏极电流(Id):0.9A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):170mΩ@4.5V,0.9A
阈值电压(Vgs(th)@Id):1V@250μA

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产品介绍:FDV305N 低压N沟道MOS管


一、产品概述

萨科微slkor低压MOS管FDV305N是一款专为低压、小电流应用设计的N沟道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。这款MOSFET以其紧凑的封装、适中的漏源电压和可靠的电气性能,成为众多电子设备中不可或缺的元件。FDV305N特别适用于需要精细电流控制和高效率开关的低压电路,为系统设计者提供了稳定且经济的解决方案。


二、产品特性

低压操作:漏源电压(Vdss)为20V,确保在低压环境下安全稳定地工作,适用于各种低压电路场景。

小电流处理能力:连续漏极电流(Id)达到0.9A,满足小电流负载的驱动需求,如小型传感器、指示灯等。

低导通电阻:在4.5V的栅极电压(Vgs)和0.9A的漏极电流(Id)条件下,导通电阻(RDS(on))为170mΩ,虽然相对于一些高性能MOSFET稍高,但在其设计应用范围内仍能有效降低导通损耗,提高系统效率。

适中阈值电压:阈值电压(Vgs(th)@Id)为1V@250μA,使得FDV305N在适当的栅极电压下即可开启,便于控制且适应多种驱动电路。


三、产品优势

经济高效:针对小电流、低压应用设计,成本效益高,适合大批量应用。

稳定可靠:经过严格的质量控制和测试,确保在长时间工作中保持稳定的性能。

易于驱动:适中的阈值电压使得FDV305N容易与各种控制电路接口,简化了系统设计。

广泛应用:适用于多种低压、小电流场景,为各种电子设备提供灵活的电力控制方案。


四、应用领域

FDV305N广泛应用于以下领域:

消费电子产品:如智能手机、平板电脑等中的小型电源管理模块、信号开关等。

汽车电子:在车窗升降器、座椅调节器等小型电机控制系统中,提供稳定的电力支持。

工业控制:在需要精细电流控制的工业自动化控制系统中,如传感器网络、小型执行器等。

智能家居:在智能家居系统中,用于控制灯光、窗帘等小型负载的开关。


五、注意事项

电压限制:请确保在实际应用中不超过器件的额定电压(Vdss),以防止击穿损坏。

电流控制:根据连续漏极电流(Id)的限制,合理设计电路,避免过载运行。

散热设计:虽然功耗较低,但在高密度集成或长时间工作的应用中,仍需关注散热问题,确保器件温度在正常范围内。

静电防护:在安装和使用过程中,应采取静电防护措施,避免静电放电对器件造成损害。

存储与运输:请按照产品手册中的建议进行存储和运输,避免暴露在极端温度、湿度或腐蚀性环境中。






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