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产品信息
产品名称: MOS管 SL05N06A
生产商: 萨科微Slkor
类型: N沟道
封装: SOT-223
电气参数
漏源电压(Vdss): 60V
连续漏极电流(Id): 5A
功率(Pd): 1.2W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 120mΩ@20V, 5A
封装特点
小巧设计: SOT-223封装适用于有限空间的设计，方便集成。
表面贴装: 采用表面贴装技术，提高了电路板的集成度。
产品亮点
宽电压范围: 适用于各种电源系统，漏源电压高达60V。
高电流能力: 连续漏极电流达到5A，适用于高电流应用场景。
高功率性能: 具有1.2W的功率容忍能力，适用于低至中功率应用。
低导通电阻: RDS(on)在20V、5A时为120mΩ，减小导通损耗。
封装和引脚
漏源极 (D): 连接到负极。
栅极 (G): 控制MOSFET的导通。
源极 (S): 连接到负载并接地。
应用领域
SL05N06A广泛应用于以下领域：
开关电源设计: 适用于各种开关电源系统。
电源适配器: 高性能特征使其成为电源适配器的理想选择。
稳压器设计: 用于设计高效稳压器电路。
注意事项
在使用SL05N06A之前，请仔细阅读生产商提供的产品手册和规格说明，以确保正确的电路设计和使用。
| 文件名称 | 标题 | 说明 |
|---|---|---|
| SL05N06A SOT-223.pdf | SL05N06A SOT-223 | - |
支持
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Longevity
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低漏源电压：20V 连续漏极电流：2.8A 小尺寸封装：SOT-23 导通电阻：112mΩ@4.5V,2.8A 阈值电压：1V@250μA
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):25V 连续漏极电流(Id):0.22A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4Ω@4.5V,0.4A 阈值电压(Vgs(th)@Id):0.8V@250uA 封装：SOT-23
类型:P沟道 漏源电压(Vdss):-20V 连续漏极电流(Id):-1.3A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):105mΩ@-4.5V,-1.3A 阈值电压(Vgs(th)@Id):-0.7V@-250uA 封装：SOT-23
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):2A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):40mΩ@4.5V,2.0A 阈值电压(Vgs(th)@Id):0.7V@250uA 封装：SOT-23
类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：50V 连续漏极电流(Id)：3A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：3Ω@4.5V 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@250μA
类型:N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：3A 功率(Pd)：350mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：8Ω@10V,3A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@250μA
类型:P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):4A 功率(Pd):2.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):60mΩ@10V,4A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.3V@250μA
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):4A 功率(Pd)：1.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):50mΩ@10V,4A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.5V@250μA
