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0755-83044319
产品名称
MOS管 SL10P04S
制造商
萨科微Slkor
概述
SL10P04S 是一款P沟道MOS场效应晶体管，适用于多种电子应用，特别设计用于可靠的开关和放大。其低漏源电压、低导通电阻以及SOP-8封装使其在多种应用中表现*。
电气特性
漏源电压(Vdss): -40V
连续漏极电流(Id): -10A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 11.5mΩ@-10V, -10A
阈值电压(Vgs(th)@Id): -1.6V@250uA
封装和引脚
SL10P04S 采用 SOP-8 封装，具有以下引脚：
漏源极 (D): 连接到正极。
栅极 (G): 控制MOSFET的导通。
源极 (S): 连接到负载并接地.
未连接 (NC): 引脚未连接，保留未用。
产品优势
低漏源电压: 适用于对电源电压敏感的应用。
低导通电阻: 最小化导通损耗，提高能效。
SOP-8封装: 适用于中等功率密度的设计。
应用领域
SL10P04S 广泛应用于：
电源管理: 用于电源开关和电源逆变器。
电机控制: 用于电机驱动和控制。
LED驱动: 适用于LED照明应用。
安装和使用
在设计电路和集成 SL10P04S 时，请参考制造商提供的技术规格和应用手册。确保适当的散热设计以维持设备的性能和可靠性。
| 文件名称 | 标题 | 说明 |
|---|---|---|
| SL10P04S SOP-8.pdf | SL10P04S SOP-8 | - |
支持
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Longevity
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低漏源电压：20V 连续漏极电流：2.8A 小尺寸封装：SOT-23 导通电阻：112mΩ@4.5V,2.8A 阈值电压：1V@250μA
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):25V 连续漏极电流(Id):0.22A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4Ω@4.5V,0.4A 阈值电压(Vgs(th)@Id):0.8V@250uA 封装：SOT-23
类型:P沟道 漏源电压(Vdss):-20V 连续漏极电流(Id):-1.3A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):105mΩ@-4.5V,-1.3A 阈值电压(Vgs(th)@Id):-0.7V@-250uA 封装：SOT-23
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):2A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):40mΩ@4.5V,2.0A 阈值电压(Vgs(th)@Id):0.7V@250uA 封装：SOT-23
类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：50V 连续漏极电流(Id)：3A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：3Ω@4.5V 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@250μA
类型:N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：3A 功率(Pd)：350mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：8Ω@10V,3A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@250μA
类型:P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):4A 功率(Pd):2.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):60mΩ@10V,4A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.3V@250μA
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):4A 功率(Pd)：1.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):50mΩ@10V,4A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.5V@250μA
