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产品名称：低压MOS管SL2302M
类型：N沟道
漏源电压(Vdss)：20V
连续漏极电流(Id)：1.2A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：110mΩ@4.5V
阈值电压(Vgs(th)@Id)：1V@250μA
封装：SOT-723
SL2302M是一款N沟道低压MOS管，适用于低压、低功率的开关电路和功率放大电路。该器件漏源电压为20V，最大连续漏极电流为1.2A，可提供高效的电源开关。导通电阻为110mΩ@4.5V，能够降低功耗，提高效率。
SL2302M的阈值电压为1V@250μA，适合用于低电压控制电路。其SOT-723封装使其具有体积小、重量轻、便于安装等特点，适用于小型电路板和微型应用。
如果您需要在低压、低功率电路中进行电源开关或功率放大，SL2302M将是一个很好的选择。
| 文件名称 | 标题 | 说明 |
|---|---|---|
| SL2302M.PDF | - |
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低漏源电压：20V 连续漏极电流：2.8A 小尺寸封装：SOT-23 导通电阻：112mΩ@4.5V,2.8A 阈值电压：1V@250μA
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):25V 连续漏极电流(Id):0.22A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4Ω@4.5V,0.4A 阈值电压(Vgs(th)@Id):0.8V@250uA 封装：SOT-23
类型:P沟道 漏源电压(Vdss):-20V 连续漏极电流(Id):-1.3A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):105mΩ@-4.5V,-1.3A 阈值电压(Vgs(th)@Id):-0.7V@-250uA 封装：SOT-23
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):2A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):40mΩ@4.5V,2.0A 阈值电压(Vgs(th)@Id):0.7V@250uA 封装：SOT-23
类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：50V 连续漏极电流(Id)：3A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：3Ω@4.5V 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@250μA
类型:N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：3A 功率(Pd)：350mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：8Ω@10V,3A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@250μA
类型:P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):4A 功率(Pd):2.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):60mΩ@10V,4A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.3V@250μA
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):4A 功率(Pd)：1.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):50mΩ@10V,4A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.5V@250μA
