低压MOS管SL4606A

低压MOS管SL4606A

30V漏源电压,33A电流,19mΩ导阻,1.5V阈值电压,N+P沟道集成,适用于低压直流、电机驱动、低功耗设计。

类型:N+P沟道
漏源电压(Vdss):30V
连续漏极电流(Id):6A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):19mΩ@10V,5.6A
阈值电压(Vgs(th)@Id):1.5V@250μA

下载数据手册 在线咨询

产品介绍:低压MOS管SL4606A


一、产品概述

萨科微slkor低压MOS管SL4606A是一款高性能的低压N+P沟道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),专为需要高效率、低导通电阻和高开关速度的应用而设计。该器件结合了N沟道和P沟道MOSFET的优势于一体,能够在单一封装内提供双向电流控制能力,极大地简化了电路设计并提升了系统的整体性能。SL4606A以其*的电气特性和稳定性,成为众多电子设备和系统中的理想选择。


二、产品特性

低漏源电压(Vdss):30V的额定漏源电压确保了器件在广泛的工作电压范围内均能稳定可靠地工作,适用于低压直流供电系统。

高连续漏极电流(Id):支持高达33A的连续漏极电流,满足大功率应用的需求,如电机驱动、电源管理等。

超低导通电阻(RDS(on)):在10V的栅源电压(Vgs)和5.6A的漏极电流(Id)条件下,导通电阻仅为19mΩ,有效降低了能量损耗,提升了系统效率。

低阈值电压(Vgs(th)):仅需1.5V的栅源电压即可开启器件,便于低电压控制,适用于电池供电或低功耗设计。

N+P沟道集成:独特的N沟道和P沟道集成设计,提供了更灵活的电流控制策略,减少了外部元件数量,简化了电路设计。


三、产品优势

高效能:超低导通电阻显著降低功率损耗,提升能源转换效率。

高集成度:N+P沟道集成设计,简化电路布局,减少空间占用,降低成本。

快速开关:优秀的开关特性,适用于高频开关应用,提升系统响应速度。

稳定可靠:经过严格测试验证,确保在各种工作环境下均能稳定工作,延长产品使用寿命。

易于驱动:低阈值电压设计,便于使用低电压或微控制器直接驱动。


四、应用领域

电机控制:如直流无刷电机(BLDC)、步进电机驱动等,提供高效电流控制能力。

电源管理:在DC-DC转换器、电池管理系统(BMS)等中,优化能源利用效率。

汽车电子:应用于汽车照明、雨刷、车窗升降等电机驱动系统,提高系统可靠性和能效。

工业自动化:在工业自动化控制系统中的执行器驱动,实现*控制。

消费电子:如智能家居设备、电动工具等,提供高效、低噪的电力转换方案。


五、注意事项

散热设计:在使用时,请确保*的散热条件,避免过热导致性能下降或损坏。

电压与电流限制:严格遵守产品规格书中的漏源电压和连续漏极电流限制,以防过载损坏。

静电防护:处理时需注意静电防护,避免静电放电对器件造成损害。

环境适应性:根据实际应用环境选择合适的封装类型,并注意防潮、防尘等保护措施。

驱动电路设计:合理设计驱动电路,确保栅极驱动电压和电流符合规格要求,以实现最佳性能。




支持

如果您需要设计/技术支持,请告知我们并填写 应答表 我们会尽快回复您。


Longevity

The Longevity Program is aimed to provide our customers information from time to time about the expected time that our products can be ordered. The NLP is reviewed and updated regularly by our executive Management Team. View our longevity program here.

相关产品

低压MOS管SL4606A

低压MOS管 SL2301

低漏源电压:20V 连续漏极电流:2.8A 小尺寸封装:SOT-23 导通电阻:112mΩ@4.5V,2.8A 阈值电压:1V@250μA

低压MOS管SL4606A

低压MOS管FDV301N

类型:N沟道 漏源电压(Vdss):25V 连续漏极电流(Id):0.22A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4Ω@4.5V,0.4A 阈值电压(Vgs(th)@Id):0.8V@250uA 封装:SOT-23

低压MOS管SL4606A

低压MOS管FDN336P

类型:P沟道 漏源电压(Vdss):-20V 连续漏极电流(Id):-1.3A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):105mΩ@-4.5V,-1.3A 阈值电压(Vgs(th)@Id):-0.7V@-250uA 封装:SOT-23

低压MOS管SL4606A

低压MOS管FDN327N

类型:N沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):2A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):40mΩ@4.5V,2.0A 阈值电压(Vgs(th)@Id):0.7V@250uA 封装:SOT-23

低压MOS管SL4606A

低压MOS管BSN20

类型:N沟道 漏源电压(Vdss):50V 连续漏极电流(Id):3A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3Ω@4.5V 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.5V@250μA

低压MOS管SL4606A

低压MOS管2SK3018W

类型:N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):3A 功率(Pd):350mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):8Ω@10V,3A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.5V@250μA

低压MOS管SL4606A

低压MOS管 SL3401S SOT-23

类型:P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):4A 功率(Pd):2.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):60mΩ@10V,4A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.3V@250μA

低压MOS管SL4606A

低压MOS管SL3402

类型:N沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):4A 功率(Pd):1.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):50mΩ@10V,4A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.5V@250μA

服务热线

0755-83044319

北斗/GPS天线咨询

板端座子咨询

连接器咨询

获取产品资料