低压MOS管WNM2021

产品名称：MOS管WNM2021

生产商：萨科微Slkor

产品类型：N沟道

电性能参数：

漏源电压（Vdss）： 20V

连续漏极电流（Id）： 2.3A

导通电阻（RDS(on)@Vgs, Id）： 0.058Ω @ 4.5V, 2A

阈值电压（Vgs(th)@Id）： 0.95V @ 250uA

封装规格：

封装类型： SOT-323

产品特性与应用：

MOS管WNM2021是一款N沟道MOS场效应管，由萨科微Slkor公司生产。其优秀的电性能参数和SOT-323封装设计使其适用于多种低功率电子应用。

主要特性：

适中的电压承受能力： 漏源电压（Vdss）为20V，适用于对电压要求较高的电路设计。

适中的电流承受能力： 连续漏极电流（Id）为2.3A，适用于低功率应用场景。

低导通电阻： 在4.5V电压和2A电流下，导通电阻为0.058Ω，有助于降低功耗和提高效率。

低阈值电压： 阈值电压（Vgs(th)@Id）为0.95V @ 250uA，有助于确保精确的电路控制。

封装优势：

SOT-323封装提供了紧凑的外形，适用于空间受限的设计。三引脚设计使得它易于集成到各种电子设备中。

应用领域：

MOS管WNM2021广泛应用于多种低功率电子应用，包括但不限于：

信号开关： 用于低功率信号开关电路。

电源开关： 适用于低功率电源开关电路。

LED驱动： 用于LED灯的低功率控制。

安全与可靠性：

MOS管WNM2021经过严格的质量控制和测试，确保在各种工作条件下稳定可靠。请按照产品规格书和应用注意事项正确使用。

总结：

MOS管WNM2021以其优秀的电性能和紧凑的SOT-323封装设计，为低功率电子系统提供了稳定可靠的解决方案。在需要适中电压承受能力和低功率的场景下，WNM2021是一个值得考虑的选择。