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低压MOS管BSS84 低压MOS管BSS84 低压MOS管BSS84
低压MOS管BSS84
类型 :P沟道

漏源电压(Vdss):50V

连续漏极电流(Id):130mA

功率(Pd):200mW

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 10Ω@5V,100mA

阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA

栅极电荷(Qg@Vgs)-

输入电容(Ciss@Vds) :  73pF@25V

反向传输电容(Crss@Vds)-

工作温度:+150℃@(Tj)

产品详情

产品名称:低压MOS管BSS84


BSS84是一种P沟道低压MOS管,适用于低电压应用。其主要性能参数如下:


- 漏源电压(Vdss): 50V

- 连续漏极电流(Id): 130mA

- 功率(Pd): 200mW

- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 10Ω@5V,100mA

- 阈值电压(Vgs(th)@Id): 2.5V@250uA

- 输入电容(Ciss@Vds): 73pF@25V

- 工作温度: [敏感词]可达+150℃@(Tj)

- 封装:SOT-23


BSS84具有低漏源电压、小型化封装和低导通电阻等特点,适用于移动设备、电源管理和LED照明等低压应用领域。在设计中应注意控制栅极电压和电流,以避免超出[敏感词]额定值。

BSS84_00.jpg

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