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产品名称：低压MOS管NTR4003N
产品介绍：
NTR4003N是一种N沟道低压MOS管，适用于DC-DC转换器、电池管理和其他低压应用。该器件具有漏源电压20V、导通电阻1.5Ω和连续漏极电流560mA的特性，可在小型封装中实现高效的功率转换。其阈值电压为1.6V@250μA，具有很好的控制性能，可在低电平下开启并关闭电流通路。
产品特性：
- N沟道低压MOS管，适用于DC-DC转换器、电池管理和其他低压应用
- 漏源电压(Vdss)：20V，可在小型封装中实现高效的功率转换
- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：1.5Ω@4.5V，10mA，具有低导通电阻，可实现高效率的功率转换
- 连续漏极电流(Id)：560mA，适用于小型电源应用
- 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.6V@250μA，具有很好的控制性能，可在低电平下开启并关闭电流通路
- 封装：SOT-23，便于电路板设计和组装
应用领域：
NTR4003N广泛应用于低压应用，特别是DC-DC转换器、电池管理和其他需要高效率低压功率转换的电路中。由于其小型封装和低导通电阻，可在小型电源应用中实现高效率的功率转换。
| 文件名称 | 标题 | 说明 |
|---|---|---|
| NTR4003N SOT-23.pdf | NTR4003N SOT-23 | - |
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低漏源电压：20V 连续漏极电流：2.8A 小尺寸封装：SOT-23 导通电阻：112mΩ@4.5V,2.8A 阈值电压：1V@250μA
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):25V 连续漏极电流(Id):0.22A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4Ω@4.5V,0.4A 阈值电压(Vgs(th)@Id):0.8V@250uA 封装：SOT-23
类型:P沟道 漏源电压(Vdss):-20V 连续漏极电流(Id):-1.3A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):105mΩ@-4.5V,-1.3A 阈值电压(Vgs(th)@Id):-0.7V@-250uA 封装：SOT-23
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):2A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):40mΩ@4.5V,2.0A 阈值电压(Vgs(th)@Id):0.7V@250uA 封装：SOT-23
类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：50V 连续漏极电流(Id)：3A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：3Ω@4.5V 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@250μA
类型:N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：3A 功率(Pd)：350mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：8Ω@10V,3A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@250μA
类型:P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):4A 功率(Pd):2.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):60mΩ@10V,4A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.3V@250μA
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):4A 功率(Pd)：1.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):50mΩ@10V,4A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.5V@250μA
