产品介绍：
SL130N04Q是一款P沟道低压MOS管，其漏源电压为40V，连续漏极电流为100A。该器件采用了低导通电阻（1.7mΩ@10V,30A），以及阈值电压为2.4V@250μA的特点，使得其能够在低压情况下实现高电流输出。
该器件采用DFN5x6-8封装，适用于高功率DC-DC转换器、电机驱动、逆变器和电源管理等领域。
产品特性：
1. 高漏源电压：40V
2. 高连续漏极电流：100A
3. 低导通电阻：1.7mΩ@10V,30A
4. 阈值电压：2.4V@250μA
5. 封装：DFN5x6-8
应用领域：
1. 高功率DC-DC转换器
2. 电机驱动
3. 逆变器
4. 电源管理
注意事项：
1. 使用前请仔细阅读产品规格书，确保正确使用。
2. 在使用过程中，请确保器件工作温度不超过其规定的工作温度范围。
3. 需要进行特殊的设计和处理才能确保该器件的ESD（静电放电）性能。
4. 在处理和安装器件时，务必采取适当的防护措施，以防止器件损坏或失效。
5. 请勿将该器件用于任何未经授权的应用场合。
关于萨科微 Slkor：
萨科微 Slkor是一家致力于提供高品质、高性能半导体器件的制造商，拥有*的技术和严格的质量控制体系，为客户的设计提供*佳的解决方案和支持。
| 文件名称 | 标题 | 说明 |
|---|---|---|
| SL130N04Q.pdf | SL130N04Q | - |
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SL2304是一款N沟道低压MOS管，具有30V的漏源电压，可承受3.3A的连续漏极电流，*大功率为0.35W。它具有较低的导通电阻，即在10V电压和3.2A电流下的导通电阻为60mΩ，这使得它在低压应用中具有较好的效率和可靠性。
SL3405是由萨科微（Slkor）生产的P沟道MOS管，专为电源管理、开关电源和功率放大应用而设计。其优越的性能使其成为各种电子设备中的理想选择，确保系统的高效运行。
IRLML6401是一种P沟道低压MOS管，具有30V漏源电压（Vdss）和4.2A连续漏极电流（Id）。此外，它还具有450mW的功率（Pd）和70mΩ的导通电阻（RDS(on)@Vgs,Id），在4.5V的条件下。阈值电压（Vgs(th)@Id）为10V。
L150N03Q是一款低压N沟道MOS管，具有高电流、低导通电阻和高功率特性，适用于直流-直流转换器、功率因数校正、电机驱动等高效率、高可靠性的电力应用。
SL3409是一种P沟道低压MOS管，具有30V漏源电压（Vdss）和2.2A连续漏极电流（Id）。此外，它还具有130mΩ的导通电阻（RDS(on)@Vgs,Id），在10V和2.2A的条件下。阈值电压（Vgs(th)@Id）为2.4V@250μA。
SL3407是一款低压P沟道MOS管，主要用于开关电路中的功率开关，具有漏源电压高、导通电阻低等特点。
低压MOS管SL3401
萨科微slkor低压MOS管SL4606A是一款高性能的低压N+P沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为需要高效率、低导通电阻和高开关速度的应用而设计。该器件结合了N沟道和P沟道MOSFET的优势于一体，能够在单一封装内提供双向电流控制能力，极大地简化了电路设计并提升了系统的整体性能。SL4606A以其*的电气特性和稳定性，成为众多电子设备和系统中的理想选择。
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