显示3D模型
服务热线
0755-83044319
SL150N03Q 低压N沟道MOS管
SL150N03Q是一款低压N沟道MOS管，具有高电流、低导通电阻和高功率特性，适用于直流-直流转换器、功率因数校正、电机驱动等高效率、高可靠性的电力应用。
参数
漏源电压（Vdss）：30V
连续漏极电流（Id）：150A
功率（Pd）：166W
导通电阻（RDS(on)）：1.6mΩ @ 10V, 30A
阈值电压（Vgs(th)）：2.5V @ 250uA
封装
DFN 5x6-8L：8引脚表面贴装封装，尺寸为5x6mm，便于集成设计和布局。
应用
直流-直流转换器
电机驱动器
功率因数校正
LED驱动器
太阳能逆变器
产品优势
高电流承受能力：150A的漏极电流能够满足大部分高电流应用的需求。
低导通电阻：1.6mΩ的导通电阻能够提高能效，减少功率损耗。
高功率：最大166W的功率允许MOS管在高电压、高电流环境下工作。
低阈值电压：2.5V的阈值电压可以在低电压环境下有效控制MOS管的导通状态。
小封装尺寸：5x6mm的DFN封装便于高密度、紧凑型设计的实现。
注意事项
请根据应用需求正确选择驱动电路和散热设计。
在正常使用过程中，避免过电压、过电流和超温度等情况发生，以保证设备的长寿命和可靠性。
包装
SL150N03Q按照工业标准进行包装，供应方式为盘装或卷装，便于生产线自动化贴装。
关于萨科微 Slkor：
萨科微 Slkor是一家致力于提供高品质、高性能半导体器件的制造商，拥有先进的技术和严格的质量控制体系，为客户的设计提供最佳的解决方案和支持。
| 文件名称 | 标题 | 说明 |
|---|---|---|
| C251155_N沟道30V150A_2018-07-13.pdf | - |
支持
如果您需要设计/技术支持，请告知我们并填写 应答表 我们会尽快回复您。
Longevity
The Longevity Program is aimed to provide our customers information from time to time about the expected time that our products can be ordered. The NLP is reviewed and updated regularly by our executive Management Team. View our longevity program here.
低漏源电压：20V 连续漏极电流：2.8A 小尺寸封装：SOT-23 导通电阻：112mΩ@4.5V,2.8A 阈值电压：1V@250μA
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):25V 连续漏极电流(Id):0.22A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4Ω@4.5V,0.4A 阈值电压(Vgs(th)@Id):0.8V@250uA 封装：SOT-23
类型:P沟道 漏源电压(Vdss):-20V 连续漏极电流(Id):-1.3A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):105mΩ@-4.5V,-1.3A 阈值电压(Vgs(th)@Id):-0.7V@-250uA 封装：SOT-23
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):2A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):40mΩ@4.5V,2.0A 阈值电压(Vgs(th)@Id):0.7V@250uA 封装：SOT-23
类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：50V 连续漏极电流(Id)：3A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：3Ω@4.5V 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@250μA
类型:N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：3A 功率(Pd)：350mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：8Ω@10V,3A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@250μA
类型:P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):4A 功率(Pd):2.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):60mΩ@10V,4A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.3V@250μA
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):4A 功率(Pd)：1.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):50mΩ@10V,4A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.5V@250μA
