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MOS场效应管
低压MOS管
类型:N沟道
漏源电压(Vdss):20V
连续漏极电流(Id):2A
功率(Pd):0.7W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):68mΩ@4.5V,2A
阈值电压(Vgs(th)@Id):1.2V@250μA
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