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产品名称：低压MOS管SL2319A
产品概述：
低压MOS管SL2319A是一种P沟道MOS场效应管，具有40V的漏源电压，4.4A的连续漏极电流和1.5W的功率，可用于低电压开关应用。其导通电阻为90mΩ@10V，2A，阈值电压为2.5V@250μA。该MOS管采用SOT-23封装，体积小巧，适用于紧凑型电路板设计。
产品规格：
- 类型：P沟道
- 漏源电压(Vdss)：40V
- 连续漏极电流(Id)：4.4A
- 功率(Pd)：1.5W
- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：90mΩ@10V，2A
- 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.5V@250μA
- 封装：SOT-23
应用领域：
- 电源管理
- 电池保护
- 低电压开关
| 文件名称 | 标题 | 说明 |
|---|---|---|
| SL2319A SOT-23.pdf | SL2319A SOT-23 | - |
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低漏源电压：20V 连续漏极电流：2.8A 小尺寸封装：SOT-23 导通电阻：112mΩ@4.5V,2.8A 阈值电压：1V@250μA
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):25V 连续漏极电流(Id):0.22A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4Ω@4.5V,0.4A 阈值电压(Vgs(th)@Id):0.8V@250uA 封装：SOT-23
类型:P沟道 漏源电压(Vdss):-20V 连续漏极电流(Id):-1.3A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):105mΩ@-4.5V,-1.3A 阈值电压(Vgs(th)@Id):-0.7V@-250uA 封装：SOT-23
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):2A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):40mΩ@4.5V,2.0A 阈值电压(Vgs(th)@Id):0.7V@250uA 封装：SOT-23
类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：50V 连续漏极电流(Id)：3A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：3Ω@4.5V 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@250μA
类型:N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：3A 功率(Pd)：350mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：8Ω@10V,3A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@250μA
类型:P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):4A 功率(Pd):2.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):60mΩ@10V,4A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.3V@250μA
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):4A 功率(Pd)：1.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):50mΩ@10V,4A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.5V@250μA
