产品名称：低压MOS管SL3139K
SL3139K是一种P沟道低压MOS管，工作电压为20V，适用于低压电路的开关控制。
主要特性：
- 漏源电压高达20V，可满足低压电路的使用要求。
- 连续漏极电流为0.66A，适用于小功率电路的开关控制。
- 在4.5V电压下，导通电阻(RDS(on))仅为520mΩ，可有效减小开关损耗。
- 阈值电压(Vgs(th))仅为0.45V，适用于低电平控制。
SL3139K采用SOT-723封装，尺寸小巧，适用于需要体积小、功率密度高的电路设计。
应用：
- 适用于低压电路的开关控制，如电源开关、LED驱动器等。
- 适用于需要体积小、功率密度高的电路设计。
注意事项：
- MOS管在使用时需要注意静电防护，避免损坏器件。
- 使用前请阅读产品手册，并按照产品手册规定的条件进行测试和应用。
| 文件名称 | 标题 | 说明 |
|---|---|---|
| SL3139K SOT-723.PDF | SL3139K SOT-723 | - |
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SL2304是一款N沟道低压MOS管，具有30V的漏源电压，可承受3.3A的连续漏极电流，*大功率为0.35W。它具有较低的导通电阻，即在10V电压和3.2A电流下的导通电阻为60mΩ，这使得它在低压应用中具有较好的效率和可靠性。
SL3405是由萨科微（Slkor）生产的P沟道MOS管，专为电源管理、开关电源和功率放大应用而设计。其优越的性能使其成为各种电子设备中的理想选择，确保系统的高效运行。
IRLML6401是一种P沟道低压MOS管，具有30V漏源电压（Vdss）和4.2A连续漏极电流（Id）。此外，它还具有450mW的功率（Pd）和70mΩ的导通电阻（RDS(on)@Vgs,Id），在4.5V的条件下。阈值电压（Vgs(th)@Id）为10V。
L150N03Q是一款低压N沟道MOS管，具有高电流、低导通电阻和高功率特性，适用于直流-直流转换器、功率因数校正、电机驱动等高效率、高可靠性的电力应用。
SL3409是一种P沟道低压MOS管，具有30V漏源电压（Vdss）和2.2A连续漏极电流（Id）。此外，它还具有130mΩ的导通电阻（RDS(on)@Vgs,Id），在10V和2.2A的条件下。阈值电压（Vgs(th)@Id）为2.4V@250μA。
SL3407是一款低压P沟道MOS管，主要用于开关电路中的功率开关，具有漏源电压高、导通电阻低等特点。
低压MOS管SL3401
萨科微slkor低压MOS管SL4606A是一款高性能的低压N+P沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为需要高效率、低导通电阻和高开关速度的应用而设计。该器件结合了N沟道和P沟道MOSFET的优势于一体，能够在单一封装内提供双向电流控制能力，极大地简化了电路设计并提升了系统的整体性能。SL4606A以其*的电气特性和稳定性，成为众多电子设备和系统中的理想选择。
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