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产品名称：低压MOS管SL3406
SL3406是一款N沟道低压MOS管，适用于直流至高频的应用。它具有漏源电压高达30V和最大连续漏极电流5.6A的优秀性能，同时具有21mΩ的低导通电阻，可提供高效的开关性能。它采用SOT-23-3封装，尺寸小巧，易于焊接和组装。
主要特性：
- N沟道低压MOS管
- 高漏源电压和最大连续漏极电流
- 低导通电阻
- SOT-23-3封装
主要参数：
- 漏源电压(Vdss)：30V
- 连续漏极电流(Id)：5.6A
- 功率(Pd)：1.2W
- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：21mΩ@10V,29A
- 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@250uA
- 栅极电荷(Qg@Vgs)：5.2nC@10V
- 输入电容(Ciss@Vds)：490pF@15V
- 反向传输电容(Crss@Vds)：68pF@15V
- 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
- 封装：SOT-23-3
SL3406是一款高性能低压MOS管，适用于多种应用场合，如直流转换、DC-DC转换器、电源管理和驱动器等。
关于萨科微 Slkor：
萨科微 Slkor是一家致力于提供高品质、高性能半导体器件的制造商，拥有先进的技术和严格的质量控制体系，为客户的设计提供最佳的解决方案和支持。
| 文件名称 | 标题 | 说明 |
|---|---|---|
| SL3406.pdf | SL3406 | - |
支持
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Longevity
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低漏源电压：20V 连续漏极电流：2.8A 小尺寸封装：SOT-23 导通电阻：112mΩ@4.5V,2.8A 阈值电压：1V@250μA
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):25V 连续漏极电流(Id):0.22A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4Ω@4.5V,0.4A 阈值电压(Vgs(th)@Id):0.8V@250uA 封装：SOT-23
类型:P沟道 漏源电压(Vdss):-20V 连续漏极电流(Id):-1.3A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):105mΩ@-4.5V,-1.3A 阈值电压(Vgs(th)@Id):-0.7V@-250uA 封装：SOT-23
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):2A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):40mΩ@4.5V,2.0A 阈值电压(Vgs(th)@Id):0.7V@250uA 封装：SOT-23
类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：50V 连续漏极电流(Id)：3A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：3Ω@4.5V 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@250μA
类型:N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：3A 功率(Pd)：350mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：8Ω@10V,3A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@250μA
类型:P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):4A 功率(Pd):2.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):60mΩ@10V,4A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.3V@250μA
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):4A 功率(Pd)：1.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):50mΩ@10V,4A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.5V@250μA
