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低压MOS管SL607B

类型:N沟道

漏源电压(Vdss):30V

连续漏极电流(Id):12A

功率(Pd):15W

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):30mΩ@10V,5.6A

阈值电压(Vgs(th)@Id):2.2V@250μA

产品详情

产品名称:低压MOS管SL607B


产品描述:

低压MOS管SL607B是一款N沟道MOSFET,具有30V的漏源电压、12A的连续漏极电流、15W的功率以及30mΩ@10V,5.6A的导通电阻。它采用SOT-23封装,适用于多种低压开关应用。


主要特性:

- N沟道MOSFET

- 漏源电压(Vdss):30V

- 连续漏极电流(Id):12A

- 功率(Pd):15W

- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):30mΩ@10V,5.6A

- 阈值电压(Vgs(th)@Id):2.2V@250μA

- 封装:SOT-23


应用领域:

低压MOS管SL607B可广泛应用于低压开关电路中,例如:

- 电源开关

- 直流-直流转换器

- 汽车电子

- 消费电子


电气特性(Ta=25℃):

- 漏源电压(Vdss):30V

- 门源电压(Vgs):±20V

- 连续漏极电流(Id):12A

- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):30mΩ@10V,5.6A

- 阈值电压(Vgs(th)@Id):2.2V@250μA

- 静态参数:

  - 输入电容(Ciss):630pF

  - 输出电容(Coss):200pF

  - 反向传输电容(Crss):120pF

- 封装:SOT-23


注意事项:

- 请勿让器件超过[敏感词]额定值,否则可能会损坏器件。

- 请遵循正确的电路设计和操作规范。

- 器件在操作和存储时应避免超出温度和湿度限制。

- 请在静电敏感设备(ESD)安全环境中操作器件,以避免静电放电可能对器件造成的损害。

SL607B TO-252-4L_0.jpg


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