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低压MOS管SL6800C 低压MOS管SL6800C 低压MOS管SL6800C
低压MOS管SL6800C

类型:N沟道

漏源电压(Vdss):30V

连续漏极电流(Id):2A

功率(Pd):1.1W

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):90mΩ@10V,2A

阈值电压(Vgs(th)@Id):1.5V@250μA

产品详情

产品名称:低压MOS管SL6800C


类型:N沟道


漏源电压(Vdss):30V


连续漏极电流(Id):2A


功率(Pd):1.1W


导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):90mΩ@10V,2A


阈值电压(Vgs(th)@Id):1.5V@250μA


封装:SOT-23-6L


产品介绍:


SL6800C是一种低压N沟道MOS管,具有漏源电压为30V和连续漏极电流为2A的特性,可用于各种低电压应用。


该MOS管的封装为SOT-23-6L,具有小巧轻便的特点,方便进行PCB板上的布局和组装。


在10V和2A的条件下,该MOS管的导通电阻(RDS(on))为90mΩ,具有较低的导通电阻,从而可以减小能耗和热损失。


此外,该MOS管的阈值电压(Vgs(th))为1.5V@250μA,使得它可以在较低的驱动电压下实现高效的开关控制。


SL6800C还具有1.1W的功率,可在热稳定性方面提供额外的保障。


总之,SL6800C是一种性能卓越的低压N沟道MOS管,适用于多种低电压应用,可提供高效的开关控制和低功耗解决方案。

SL6800C SOT-23-6L_0.jpg


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