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产品名称：低压MOS管SL6800C
类型：N沟道
漏源电压(Vdss)：30V
连续漏极电流(Id)：2A
功率(Pd)：1.1W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：90mΩ@10V,2A
阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@250μA
封装：SOT-23-6L
产品介绍：
SL6800C是一种低压N沟道MOS管，具有漏源电压为30V和连续漏极电流为2A的特性，可用于各种低电压应用。
该MOS管的封装为SOT-23-6L，具有小巧轻便的特点，方便进行PCB板上的布局和组装。
在10V和2A的条件下，该MOS管的导通电阻（RDS(on)）为90mΩ，具有较低的导通电阻，从而可以减小能耗和热损失。
此外，该MOS管的阈值电压（Vgs(th)）为1.5V@250μA，使得它可以在较低的驱动电压下实现高效的开关控制。
SL6800C还具有1.1W的功率，可在热稳定性方面提供额外的保障。
总之，SL6800C是一种性能*的低压N沟道MOS管，适用于多种低电压应用，可提供高效的开关控制和低功耗解决方案。
| 文件名称 | 标题 | 说明 |
|---|---|---|
| SL6800C SOT-23-6L.pdf | SL6800C SOT-23-6L | - |
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低漏源电压：20V 连续漏极电流：2.8A 小尺寸封装：SOT-23 导通电阻：112mΩ@4.5V,2.8A 阈值电压：1V@250μA
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):25V 连续漏极电流(Id):0.22A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4Ω@4.5V,0.4A 阈值电压(Vgs(th)@Id):0.8V@250uA 封装：SOT-23
类型:P沟道 漏源电压(Vdss):-20V 连续漏极电流(Id):-1.3A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):105mΩ@-4.5V,-1.3A 阈值电压(Vgs(th)@Id):-0.7V@-250uA 封装：SOT-23
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):2A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):40mΩ@4.5V,2.0A 阈值电压(Vgs(th)@Id):0.7V@250uA 封装：SOT-23
类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：50V 连续漏极电流(Id)：3A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：3Ω@4.5V 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@250μA
类型:N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：3A 功率(Pd)：350mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：8Ω@10V,3A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@250μA
类型:P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):4A 功率(Pd):2.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):60mΩ@10V,4A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.3V@250μA
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):4A 功率(Pd)：1.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):50mΩ@10V,4A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.5V@250μA
