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低压MOS管SL80N03 低压MOS管SL80N03 低压MOS管SL80N03
低压MOS管SL80N03

类型:N沟道

漏源电压(Vdss):30V

连续漏极电流(Id):80A

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):6.5mΩ@10V,30A

阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250μA

产品详情

SL80N03低压MOS管是一款N沟道MOSFET器件,其主要特点如下:


- 漏源电压(Vdss)为30V,支持低压电路应用。

- 连续漏极电流(Id)高达80A,具有较高的承载能力。

- 导通电阻(RDS(on))低至6.5mΩ(在Vgs为10V、Id为30A时),有助于减少功率损耗和提高效率。

- 阈值电压(Vgs(th))为2.5V(在Id为250μA时),方便控制开关状态。

- 封装为TO-252,便于安装和散热。


SL80N03低压MOS管适用于大功率直流/交流转换器、电机驱动器、照明系统、电源管理、电池保护等应用场合。其高承载能力、低导通电阻和低阈值电压等特性,可以帮助设计师实现高效、高性能的电路设计。

SL80N03 TO-252_0.jpg

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