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产品名称: SL20T65F1
生产商: 萨科微（Slkor）
产品概述:
SL20T65F1 是一款高性能的 IGBT 单管，由萨科微（Slkor）设计和生产。IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一种功率半导体器件，它结合了 MOSFET 和双极型晶体管的特点，提供可靠的功率控制。
关键规格:
集电极-发射极电压 (VCE): 650V，提供了可靠的电压容忍度。
集电极电流 (IC@TC=100℃): 最大 20A 的集电极电流，适用于中等功率需求。
功耗 (PD@TC=25℃): 46W 的功耗，为中等功率电源设计提供了强大的性能。
工作温度 (TJ): 在 -55℃ 到 150℃ 的宽广工作温度范围内可靠运行。
封装 (Package): TO-220F 封装，提供了*的散热性能和易于安装的特点。
产品特点:
广泛应用： SL20T65F1 适用于多种中等功率应用，包括电源逆变器、电机驱动和其他工业应用。
性能稳定： 精心设计的 SL20T65F1 提供了可靠的性能和高效的功率控制。
优异的散热设计： TO-220F 封装有助于维持设备的温度稳定，确保在高功率运行时保持可靠性。
应用领域:
SL20T65F1 IGBT 单管是一种多功能器件，适用于多种中等功率电源应用，包括但不限于：
电源逆变器
电机和马达驱动
工业电源系统
其宽广的工作温度范围使其在各种环境条件下均表现*，为系统提供可靠的性能。
| 文件名称 | 标题 | 说明 |
|---|---|---|
| SL20T65F1 TO-220F.pdf | SL20T65F1 TO-220F | - |
支持
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VCE(V)：1200V IC@TC=100℃（A）:75A PD@TC=25℃（W）:625W TJ（℃）：-55~150℃ Package：TO-264
VCE(V)：1200V IC@TC=100℃（A）:50A PD@TC=25℃（W）:535W TJ（℃）：-55~175℃ Package：TO-264
VCE(V)：650V IC@TC=100℃（A）:40A PD@TC=25℃（W）:375W TJ（℃）：-40~175℃ Package：TO-247
VCE(V)：650V IC@TC=100℃（A）:40A PD@TC=25℃（W）:375W TJ（℃）：-45~175℃ Package：TO-247
VCE(V)：1200V IC@TC=100℃（A）:40A PD@TC=25℃（W）:718W TJ（℃）：-55~175℃ Package：TO-247
VCE(V)：1200V IC@TC=100℃（A）:25A PD@TC=25℃（W）:350W TJ（℃）：-55~150℃ Package：TO-247
VCE(V)：650V IC@TC=100℃（A）:20A PD@TC=25℃（W）:162W TJ（℃）：-55~150℃ Package：TO-263
VCE(V)：650V IC@TC=100℃（A）:20A PD@TC=25℃（W）:162W TJ（℃）：-55~175℃ Package：TO-247
