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产品名称: SL25T120FL
生产商: 萨科微（Slkor）
产品概述:
SL25T120FL 是一款 IGBT 单管，由萨科微（Slkor）生产。IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一种常见的功率半导体器件，结合了 MOSFET 和双极型晶体管的优点。
关键规格:
集电极-发射极电压 (VCE): 1200V，适用于高压功率应用。
集电极电流 (IC@TC=100℃): 最大 25A 的集电极电流，适用于中功率到高功率的电源设计。
功耗 (PD@TC=25℃): 在 25℃ 环境温度下的功耗为 350W。
工作温度 (TJ): 适用于温度范围从 -55℃ 到 150℃。
封装 (Package): 采用 TO-247 封装，提供了*的散热性能和安装的便利性。
产品特点:
高电压承受能力： 1200V 的 VCE，适用于高压功率应用，如电源逆变器、电机驱动等。
中等电流容许： 最大 25A 的电流容许值，使其适用于中等到高功率电源应用。
优越的散热性能： TO-247 封装提供了*的散热性能，有助于在高功率应用中保持设备的温度稳定。
应用领域:
SL25T120FL IGBT 单管适用于各种高压高功率电源应用，包括但不限于：
高压功率逆变器
电机和马达驱动
工业电源系统
IGBT 单管在高功率应用中扮演着关键的角色，它们在能源转换和工业电子领域中广泛应用。
| 文件名称 | 标题 | 说明 |
|---|---|---|
| SL25T120FL.PDF | SL25T120FL | - |
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VCE(V)：1200V IC@TC=100℃（A）:75A PD@TC=25℃（W）:625W TJ（℃）：-55~150℃ Package：TO-264
VCE(V)：1200V IC@TC=100℃（A）:50A PD@TC=25℃（W）:535W TJ（℃）：-55~175℃ Package：TO-264
VCE(V)：650V IC@TC=100℃（A）:40A PD@TC=25℃（W）:375W TJ（℃）：-40~175℃ Package：TO-247
VCE(V)：650V IC@TC=100℃（A）:40A PD@TC=25℃（W）:375W TJ（℃）：-45~175℃ Package：TO-247
VCE(V)：1200V IC@TC=100℃（A）:40A PD@TC=25℃（W）:718W TJ（℃）：-55~175℃ Package：TO-247
VCE(V)：650V IC@TC=100℃（A）:20A PD@TC=25℃（W）:162W TJ（℃）：-55~150℃ Package：TO-263
VCE(V)：650V IC@TC=100℃（A）:20A PD@TC=25℃（W）:162W TJ（℃）：-55~175℃ Package：TO-247
VCE(V)：650V IC@TC=100℃（A）:20A PD@TC=25℃（W）:46W TJ（℃）：-55~150℃ Package：TO-220F
