为了推动长期的可持续发展以及增强产品的综合竞争力，越来越多车企加入了布局SiC市场的行列。与此同时，主要的碳化硅芯片制造商正在积极投资新工厂来制造 SiC 晶圆和器件。
国外：
意法半导体：2018年以来，来自特斯拉的需求推动意法半导体650V SiC MOSFET订单激增。今年6月，供应商投资2.44亿美元在摩洛哥新建SiC生产线，*供应特斯拉。
10月5日，意法半导体宣布，将在意大利卡塔尼亚新建一个SiC衬底工厂，以满足客户对汽车和工业应用对 SiC 器件日益增长的需求。
安森美半导体：自 2021 年起，安森美半导体为梅赛德斯-奔驰 EQ 车队提供逆变器 SiC 模块，还将为奔驰VISION EQXX概念车提供SiC产品（2024年SOP）。
此外，安森美半导体在今年7月份还在日本京畿道富川市建立了新的研究中心和晶圆制造厂。供应商预计其 SiC 产品将在 2023 年贡献 10 亿美元和 2 美元的收入。2024年6亿。
英飞凌：昨日，英飞凌宣布已与全球汽车制造商Stellantis签署谅解备忘录。根据协议，英飞凌将在2025-2030年预留产能，直接向Stellantis供应商提供碳化硅功率半导体。
此协议可能涉及价值超过10亿欧元（10.3 亿美元）的芯片，这些芯片将用于Stellantis旗下电动车。今年7月公司宣布将投资18.07亿美元在马来西亚吉打州居林兴建 SiC 晶圆厂，预计于2024年第三季竣工。
Qorvo：去年11月，美国射频解决方案龙头企业Qorvo通过收购SiC半导体供应商UnitedSiC切入SiC赛道。11月8日，Qorvo与半导体晶圆供应商SK Siltron宣布，双方已签署一份多年期的SiC裸片和外延片协议，该协议将促进国内半导体供应链的弹性和更大的能力。
此外，还有ST、罗姆、博世、恩智浦、瑞萨电子、Wolfspeed、II-VI、Soitec等一众国外优质企业在此布局。
国内：
比亚迪半导体：2022年6月，比亚迪半导体推出1200V 1040A SiC功率模块，在不改变原有封装尺寸的情况下，功率提升近30%。且公司成功攻克碳化硅晶圆衬底全环节工艺和设备制造技术，4英寸碳化硅晶圆性能已达到*先进水平。
根据比亚迪的规划，到2023年，其旗下所有电动汽车都将使用碳化硅功率半导体，而不是硅基IGBT。
三安光电：2021年6月，湖南半导体基地投产，为比亚迪提供车载充电器用碳化硅。此外，2022年2月，三安光电与理想汽车成立合资公司，研究碳化硅技术，拓展碳化硅市场。
本月初，三安光电子公司湖南三安与需求方签署《战略采购意向协议》，后者主要从事新能源汽车业务，承诺自2024-2027年确保向湖南三安每年采购碳化硅芯片。
斯达半导：2021年8月公司宣布投资5亿元在SiC芯片研发及产业化项目；2021年3月公司宣布投资20亿元与高压特色工艺功率芯片和SiC芯片研发及产业化项目。斯达微电子目前在600V/650V、1200V、1700V等中低压IGBT芯片已经实现国产化。
此外，天岳先进掌握碳化硅衬底制作核心技术，批量供应下游核心客户；时代电气构建了全套特色先进碳化硅工艺技术的4英寸及6英寸兼容的专业碳化硅芯片制造平台；士兰微目前已完成车规级SiC MOSFET器件研发，快速上量SiC芯片生产线，计划形成年产产能14.4万片6英寸SiC功率器件芯片生产线。
