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产品名称：中压MOS管2N7002T
封装类型：SOT-523
概述：
2N7002T是一款中压N沟道MOS管，适用于各种中压开关应用。该器件具有低导通电阻、低阈值电压和快速开关速度等优秀特性。
应用领域：
- 电源管理
- 电机驱动
- 开关模块
性能参数：
| 参数 | 符号 | 值 |
|---|---|---|
| 漏源电压 | Vdss | 60V |
| 连续漏极电流 | Id | 3A |
| 功率 | Pd | 350mW |
| 导通电阻 | RDS(on)@Vgs,Id | 3Ω@4.5V |
| 阈值电压 | Vgs(th)@Id | 3V@250μA |
总结：
2N7002T是一款低导通电阻、低阈值电压、快速开关速度的中压N沟道MOS管，适用于各种中压开关应用，如电源管理、电机驱动和开关模块等。其SOT-523封装，使其在PCB设计中具有小型化、低成本等优点，从而满足各种紧凑型电路设计的需求。
| 文件名称 | 标题 | 说明 |
|---|---|---|
| 2N7002T SOT-523.pdf | 2N7002T SOT-523 | - |
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类型:P沟道 漏源电压(Vdss):-60V 连续漏极电流(Id):-30A 功率(Pd):50W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):26mΩ@-10V,-15A 阈值电压(Vgs(th)@Id):-1.8V@-250μA
类型:P沟道 漏源电压(Vdss):-100V 连续漏极电流(Id):-20A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):78mΩ@-10V,-10A 阈值电压(Vgs(th)@Id):-1.7V@-250uA 封装：TO-220
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):5A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):30mΩ@10V,4A 阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA 封装：SOP-8
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):200V 连续漏极电流(Id):18A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):150mΩ@10V,11A 阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id):33A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):30mΩ@10V,15A 阈值电压(Vgs(th)@Id):4.0V@250uA 封装：TO-263
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id):2A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):234mΩ@10V,1.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id):2.8V@250uA 封装：SOT-23
类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：50V 连续漏极电流(Id)：220mA 功率(Pd)：225mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：3.5Ω@10V,220mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.6V@1mA
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):240V 连续漏极电流(Id):0.1A 功率(Pd):0.35W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):9.07Ω@4.5V,0.09A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.4V@56μA
