中压MOS管BSS169

中压MOS管BSS169

MOS管BSS169是一款N沟道MOS场效应管,由萨科微Slkor公司生产。其适中的电性能参数和SOT-23封装设计使其适用于多种低功率电子应用。

类型:N沟道
漏源电压(Vdss):100V
连续漏极电流(Id):2A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):234mΩ@10V,1.5A
阈值电压(Vgs(th)@Id):2.8V@250uA
封装:SOT-23

下载数据手册 在线咨询

产品名称:MOS管BSS169


生产商:萨科微Slkor


产品类型:N沟道


电性能参数:

漏源电压(Vdss): 100V

连续漏极电流(Id): 2A

导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id): 234mΩ @ 10V, 1.5A

阈值电压(Vgs(th)@Id): 2.8V @ 250uA

封装规格:

封装类型: SOT-23

产品特性与应用:

MOS管BSS169是一款N沟道MOS场效应管,由萨科微Slkor公司生产。其适中的电性能参数和SOT-23封装设计使其适用于多种低功率电子应用。


主要特性:

高电压承受能力: 漏源电压(Vdss)为100V,适用于对电压要求较高的电路设计。

适中的电流承受能力: 连续漏极电流(Id)为2A,适用于低功率应用场景。

相对低的导通电阻: 在10V电压和1.5A电流下,导通电阻为234mΩ,有助于降低功耗和提高效率。

相对低的阈值电压: 阈值电压(Vgs(th)@Id)为2.8V @ 250uA,有助于确保精确的电路控制。

封装优势:

SOT-23封装提供了紧凑的外形,适用于空间受限的设计。三引脚设计使得它易于集成到各种电子设备中。


应用领域:

MOS管BSS169广泛应用于多种低功率电子应用,包括但不限于:

信号开关: 用于低功率信号开关电路。

电源开关: 适用于低功率电源开关电路。

LED驱动: 用于LED灯的低功率控制。

安全与可靠性:

MOS管BSS169经过严格的质量控制和测试,确保在各种工作条件下稳定可靠。请按照产品规格书和应用注意事项正确使用。


总结:

MOS管BSS169以其适中的电性能和紧凑的SOT-23封装设计,为低功率电子系统提供了稳定可靠的解决方案。在需要高电压承受能力和适中电流承受能力的场景下,BSS169是一个值得考虑的选择。




支持

如果您需要设计/技术支持,请告知我们并填写 应答表 我们会尽快回复您。


Longevity

The Longevity Program is aimed to provide our customers information from time to time about the expected time that our products can be ordered. The NLP is reviewed and updated regularly by our executive Management Team. View our longevity program here.

相关产品

中压MOS管BSS169

中压MOS管IRFR5305

类型:P沟道 漏源电压(Vdss):-60V 连续漏极电流(Id):-30A 功率(Pd):50W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):26mΩ@-10V,-15A 阈值电压(Vgs(th)@Id):-1.8V@-250μA

中压MOS管BSS169

中压MOS管IRF9540

类型:P沟道 漏源电压(Vdss):-100V 连续漏极电流(Id):-20A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):78mΩ@-10V,-10A 阈值电压(Vgs(th)@Id):-1.7V@-250uA 封装:TO-220

中压MOS管BSS169

中压MOS管IRF7341

类型:N沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):5A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):30mΩ@10V,4A 阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA 封装:SOP-8

中压MOS管BSS169

中压MOS管IRF640

类型:N沟道 漏源电压(Vdss):200V 连续漏极电流(Id):18A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):150mΩ@10V,11A 阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA

中压MOS管BSS169

中压MOS管IRF540NS

类型:N沟道 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id):33A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):30mΩ@10V,15A 阈值电压(Vgs(th)@Id):4.0V@250uA 封装:TO-263

中压MOS管BSS169

中压MOS管BSS138

类型:N沟道 漏源电压(Vdss):50V 连续漏极电流(Id):220mA 功率(Pd):225mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3.5Ω@10V,220mA 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.6V@1mA

中压MOS管BSS169

中压MOS管BSS131

类型:N沟道 漏源电压(Vdss):240V 连续漏极电流(Id):0.1A 功率(Pd):0.35W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):9.07Ω@4.5V,0.09A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.4V@56μA

中压MOS管BSS169

中压MOS管BSS123

类型:N沟道 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id):150mA 功率(Pd):250mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3.5Ω@10V,120mA 阈值电压(Vgs(th)@Id):2.8V@1mA 输入电容(Ciss@Vds):40pF@25V 工作温度:+150℃@(Tj)

服务热线

0755-83044319

北斗/GPS天线咨询

板端座子咨询

连接器咨询

获取产品资料