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产品名称：中压MOS管SL10N06A
SL10N06A是一种N沟道中压MOS管，适用于多种应用，包括电源管理、马达控制和照明等领域。
主要特性：
- 漏源电压(Vdss):60V
- 连续漏极电流(Id):10A
- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):35mΩ@10V,5A
- 阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA
- 工作温度:-55℃~+150℃@(Tj)
- 封装：SOT-223
SL10N06A采用SOT-223封装，尺寸为6.7mm x 6.7mm x 2.3mm，重量约为0.08g。该产品具有优异的导通特性，导通电阻低，使其适用于低电压电路。
该产品的漏源电压为60V，可连续承受10A的漏极电流。阈值电压为2.5V，保证了设备在低功耗状态下的正常工作。
此外，该产品具有广泛的工作温度范围，可在-55℃~+150℃的环境下工作，保证了在极端温度条件下的可靠性。
应用领域：
- 电源管理
- 马达控制
- 照明等领域
| 文件名称 | 标题 | 说明 |
|---|---|---|
| SL10N06A SOT-223.pdf | SL10N06A SOT-223 | - |
支持
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类型:P沟道 漏源电压(Vdss):-60V 连续漏极电流(Id):-30A 功率(Pd):50W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):26mΩ@-10V,-15A 阈值电压(Vgs(th)@Id):-1.8V@-250μA
类型:P沟道 漏源电压(Vdss):-100V 连续漏极电流(Id):-20A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):78mΩ@-10V,-10A 阈值电压(Vgs(th)@Id):-1.7V@-250uA 封装：TO-220
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):5A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):30mΩ@10V,4A 阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA 封装：SOP-8
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):200V 连续漏极电流(Id):18A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):150mΩ@10V,11A 阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id):33A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):30mΩ@10V,15A 阈值电压(Vgs(th)@Id):4.0V@250uA 封装：TO-263
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id):2A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):234mΩ@10V,1.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id):2.8V@250uA 封装：SOT-23
类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：50V 连续漏极电流(Id)：220mA 功率(Pd)：225mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：3.5Ω@10V,220mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.6V@1mA
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):240V 连续漏极电流(Id):0.1A 功率(Pd):0.35W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):9.07Ω@4.5V,0.09A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.4V@56μA
