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产品名称：中压MOS管SL10N10A
产品概述：
SL10N10A是一款中压N沟道MOS管，其漏源电压（Vdss）为100V，连续漏极电流（Id）为10A，导通电阻（RDS(on)@Vgs,Id）为95mΩ@10V,10A，阈值电压（Vgs(th)@Id）为3V@250uA。该器件具有优异的开关特性和热稳定性，可用于高频、高效、高稳定性的开关电源、逆变器等应用。
产品特性：
- 低导通电阻
- 高开关速度
- 高耐压
- 低阈值电压
- *的热稳定性
- 封装形式为SOT-223，易于焊接和安装
典型应用：
- 开关电源
- 逆变器
- 电机驱动器
- 照明控制
产品参数：
- 类型：N沟道
- 漏源电压（Vdss）：100V
- 连续漏极电流（Id）：10A
- 功率（Pd）：1.25W
- 导通电阻（RDS(on)@Vgs,Id）：95mΩ@10V,10A
- 阈值电压（Vgs(th)@Id）：3V@250uA
- 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
- 封装：SOT-223
| 文件名称 | 标题 | 说明 |
|---|---|---|
| SL10N10A SOT-223.pdf | SL10N10A SOT-223 | - |
支持
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Longevity
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类型:P沟道 漏源电压(Vdss):-60V 连续漏极电流(Id):-30A 功率(Pd):50W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):26mΩ@-10V,-15A 阈值电压(Vgs(th)@Id):-1.8V@-250μA
类型:P沟道 漏源电压(Vdss):-100V 连续漏极电流(Id):-20A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):78mΩ@-10V,-10A 阈值电压(Vgs(th)@Id):-1.7V@-250uA 封装：TO-220
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):5A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):30mΩ@10V,4A 阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA 封装：SOP-8
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):200V 连续漏极电流(Id):18A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):150mΩ@10V,11A 阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id):33A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):30mΩ@10V,15A 阈值电压(Vgs(th)@Id):4.0V@250uA 封装：TO-263
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id):2A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):234mΩ@10V,1.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id):2.8V@250uA 封装：SOT-23
类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：50V 连续漏极电流(Id)：220mA 功率(Pd)：225mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：3.5Ω@10V,220mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.6V@1mA
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):240V 连续漏极电流(Id):0.1A 功率(Pd):0.35W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):9.07Ω@4.5V,0.09A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.4V@56μA
