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产品概述：
萨科微slkor中压MOS管SL17N06DN1是一款N沟道中压MOS管，具有60V的漏源电压和17A的连续漏极电流，可用于高效率、高可靠性的开关模式电源、UPS电源、电动工具、照明系统等多种应用。
产品特性：
- N沟道MOSFET结构，漏源电压为60V
- 导通电阻低，可提供高效率和低温升
- 阈值电压低，有助于减少驱动电路的功耗
- TO-252封装，方便焊接和安装
产品参数：
- 漏源电压(Vdss): 60V
- 连续漏极电流(Id): 17A
- 功率(Pd): 24W
- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 73mΩ@10V,6A
- 阈值电压(Vgs(th)@Id): 2.5V@250μA
- 封装：TO-252
应用领域：
- 开关模式电源
- UPS电源
- 电动工具
- 照明系统
- 其他需要高效率、高可靠性的应用场景
| 文件名称 | 标题 | 说明 |
|---|---|---|
| SL17N06DN1.pdf | SL17N06DN1 | - |
支持
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Longevity
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类型:P沟道 漏源电压(Vdss):-60V 连续漏极电流(Id):-30A 功率(Pd):50W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):26mΩ@-10V,-15A 阈值电压(Vgs(th)@Id):-1.8V@-250μA
类型:P沟道 漏源电压(Vdss):-100V 连续漏极电流(Id):-20A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):78mΩ@-10V,-10A 阈值电压(Vgs(th)@Id):-1.7V@-250uA 封装：TO-220
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):5A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):30mΩ@10V,4A 阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA 封装：SOP-8
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):200V 连续漏极电流(Id):18A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):150mΩ@10V,11A 阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id):33A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):30mΩ@10V,15A 阈值电压(Vgs(th)@Id):4.0V@250uA 封装：TO-263
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id):2A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):234mΩ@10V,1.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id):2.8V@250uA 封装：SOT-23
类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：50V 连续漏极电流(Id)：220mA 功率(Pd)：225mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：3.5Ω@10V,220mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.6V@1mA
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):240V 连续漏极电流(Id):0.1A 功率(Pd):0.35W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):9.07Ω@4.5V,0.09A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.4V@56μA
