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产品名称：高压MOS管SL20N10
类型：N沟道
漏源电压：100V
连续漏极电流：20A
导通电阻：80Ω@10V的RDS(on)@Vgs,Id
阈值电压：10V@250uA的Vgs(th)@Id
封装：TO-252
SL20N10是一款高性能的N沟道中压MOS管，适用于各种低中压应用。其漏源电压为100V，连续漏极电流为20A，可满足各种应用需求。此外，SL20N10采用先进技术，具有低导通电阻，即80Ω@10V的RDS(on)@Vgs,Id，可实现更高效能的能量转换，提高系统效率。阈值电压为10V@250uA的Vgs(th)@Id，表明它在低功率输入下仍能保持可靠的开关操作，使其适用于电源管理、电动工具、电动汽车等领域。
SL20N10采用TO-252封装，易于安装和布局。在各种高压应用中，该产品具有高度的稳定性和可靠性，能够有效地保障系统稳定运行。
| 文件名称 | 标题 | 说明 |
|---|---|---|
| SL20N10 TO-252.pdf | SL20N10 TO-252 | - |
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类型:P沟道 漏源电压(Vdss):-60V 连续漏极电流(Id):-30A 功率(Pd):50W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):26mΩ@-10V,-15A 阈值电压(Vgs(th)@Id):-1.8V@-250μA
类型:P沟道 漏源电压(Vdss):-100V 连续漏极电流(Id):-20A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):78mΩ@-10V,-10A 阈值电压(Vgs(th)@Id):-1.7V@-250uA 封装：TO-220
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):5A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):30mΩ@10V,4A 阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA 封装：SOP-8
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):200V 连续漏极电流(Id):18A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):150mΩ@10V,11A 阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id):33A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):30mΩ@10V,15A 阈值电压(Vgs(th)@Id):4.0V@250uA 封装：TO-263
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id):2A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):234mΩ@10V,1.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id):2.8V@250uA 封装：SOT-23
类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：50V 连续漏极电流(Id)：220mA 功率(Pd)：225mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：3.5Ω@10V,220mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.6V@1mA
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):240V 连续漏极电流(Id):0.1A 功率(Pd):0.35W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):9.07Ω@4.5V,0.09A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.4V@56μA
