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中压MOS管SL60N06 中压MOS管SL60N06 中压MOS管SL60N06
中压MOS管SL60N06

类型:N沟道

漏源电压(Vdss):60V

连续漏极电流(Id):60A

功率(Pd):110W

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):11.5mΩ@10V,30A

阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250μA

产品详情

产品名称:中压MOS管SL60N06


产品类型:N沟道

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 60A

功率(Pd): 110W

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 11.5mΩ@10V,30A

阈值电压(Vgs(th)@Id): 4V@250μA

封装:TO-220


产品特点:

1. 高性能:SL60N06是一款中压N沟道MOSFET,具有漏源电压高达60V和60A的连续漏极电流,可提供高性能的电源控制和转换功能。

2. 低导通电阻:该器件具有11.5mΩ的低导通电阻,能够减少功耗并提高效率。

3. 高阈值电压:阈值电压为4V,可以提高设备的稳定性和可靠性。

4. TO-220封装:该器件采用TO-220封装,可方便地安装在散热器上以保持良好的温度控制。


适用领域:

该器件广泛应用于电源控制、开关转换、电机控制、电源管理、LED驱动和DC-DC转换等领域。


工作温度范围:-55℃~+175℃@(Tj)

关于萨科微 Slkor:
萨科微 Slkor是一家致力于提供高品质、高性能半导体器件的制造商,拥有先进的技术和严格的质量控制体系,为客户的设计提供[敏感词]的解决方案和支持。


SL60N06_00.jpg

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