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产品名称:中压MOS管SL60N06
产品类型:N沟道
漏源电压(Vdss): 60V
连续漏极电流(Id): 60A
功率(Pd): 110W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 11.5mΩ@10V,30A
阈值电压(Vgs(th)@Id): 4V@250μA
封装:TO-220
产品特点:
1. 高性能:SL60N06是一款中压N沟道MOSFET,具有漏源电压高达60V和60A的连续漏极电流,可提供高性能的电源控制和转换功能。
2. 低导通电阻:该器件具有11.5mΩ的低导通电阻,能够减少功耗并提高效率。
3. 高阈值电压:阈值电压为4V,可以提高设备的稳定性和可靠性。
4. TO-220封装:该器件采用TO-220封装,可方便地安装在散热器上以保持良好的温度控制。
适用领域:
该器件广泛应用于电源控制、开关转换、电机控制、电源管理、LED驱动和DC-DC转换等领域。
工作温度范围:-55℃~+175℃@(Tj)
关于萨科微 Slkor:
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