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中压MOS管 SL60N10Q 中压MOS管 SL60N10Q 中压MOS管 SL60N10Q
中压MOS管 SL60N10Q

类型:N沟道

漏源电压(Vdss):100V

连续漏极电流(Id)-

功率(Pd):56.5W

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):8mΩ@10V,20A

阈值电压(Vgs(th)@Id):2.4V@250uA

栅极电荷(Qg@Vgs):29nC@4.5V

输入电容(Ciss@Vds):2.55nF@15V

反向传输电容(Crss@Vds):12pF@15V

工作温度:-55℃~+150℃@(Tj)

产品详情

产品名称:中压MOS管 


型号:SL60N10Q


概述:

SL60N10Q 是一款 N 沟道 MOSFET,工作电压为100V,可承受最大漏电流47A,导通电阻(RDS(on))低至8mΩ@10V,20A。该器件的输入电容(Ciss)为2.55nF,反向传输电容(Crss)为12pF,栅极电荷(Qg)为29nC。此外,它还具有良好的温度特性,在-55℃~+150℃的温度范围内均可正常工作。


特性:

- N沟道MOSFET

- 漏源电压:100V

- 连续漏极电流:47A

- 导通电阻(RDS(on)):8mΩ@10V,20A

- 阈值电压(Vgs(th)):2.4V@250uA

- 栅极电荷(Qg):29nC@4.5V

- 输入电容(Ciss):2.55nF@15V

- 反向传输电容(Crss):12pF@15V

- 工作温度范围:-55℃~+150℃@(Tj)

- 封装:DFN5x6-8


应用:

该产品可广泛应用于电源、DC-DC转换器、电机控制、照明等领域中。


注意事项:

1. 在使用之前,请仔细阅读产品手册中的使用说明和警告内容。

2. 请保持器件清洁,避免污染和静电损伤。

3. 请注意器件的最大电压和最大电流,不要超过其额定值。

4. 请在规定的温度范围内使用,避免过热或过冷的环境。

5. 请避免震动、振动和机械冲击,以免影响器件的性能和寿命。

SL60N10Q_00.jpg

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