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产品名称：中压MOS管
型号：SL60N10Q
概述：
SL60N10Q 是一款 N 沟道 MOSFET，工作电压为100V，可承受最大漏电流47A，导通电阻(RDS(on))低至8mΩ@10V,20A。该器件的输入电容(Ciss)为2.55nF，反向传输电容(Crss)为12pF，栅极电荷(Qg)为29nC。此外，它还具有*的温度特性，在-55℃~+150℃的温度范围内均可正常工作。
特性：
- N沟道MOSFET
- 漏源电压：100V
- 连续漏极电流：47A
- 导通电阻(RDS(on))：8mΩ@10V,20A
- 阈值电压(Vgs(th))：2.4V@250uA
- 栅极电荷(Qg)：29nC@4.5V
- 输入电容(Ciss)：2.55nF@15V
- 反向传输电容(Crss)：12pF@15V
- 工作温度范围：-55℃~+150℃@(Tj)
- 封装：DFN5x6-8
应用：
该产品可广泛应用于电源、DC-DC转换器、电机控制、照明等领域中。
注意事项：
1. 在使用之前，请仔细阅读产品手册中的使用说明和警告内容。
2. 请保持器件清洁，避免污染和静电损伤。
3. 请注意器件的最大电压和最大电流，不要超过其额定值。
4. 请在规定的温度范围内使用，避免过热或过冷的环境。
5. 请避免震动、振动和机械冲击，以免影响器件的性能和寿命。
关于萨科微 Slkor：
萨科微 Slkor是一家致力于提供高品质、高性能半导体器件的制造商，拥有先进的技术和严格的质量控制体系，为客户的设计提供最佳的解决方案和支持。
| 文件名称 | 标题 | 说明 |
|---|---|---|
| SL60N10Q.pdf | SL60N10Q | - |
支持
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Longevity
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类型:P沟道 漏源电压(Vdss):-60V 连续漏极电流(Id):-30A 功率(Pd):50W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):26mΩ@-10V,-15A 阈值电压(Vgs(th)@Id):-1.8V@-250μA
类型:P沟道 漏源电压(Vdss):-100V 连续漏极电流(Id):-20A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):78mΩ@-10V,-10A 阈值电压(Vgs(th)@Id):-1.7V@-250uA 封装：TO-220
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):5A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):30mΩ@10V,4A 阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA 封装：SOP-8
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):200V 连续漏极电流(Id):18A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):150mΩ@10V,11A 阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id):33A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):30mΩ@10V,15A 阈值电压(Vgs(th)@Id):4.0V@250uA 封装：TO-263
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id):2A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):234mΩ@10V,1.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id):2.8V@250uA 封装：SOT-23
类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：50V 连续漏极电流(Id)：220mA 功率(Pd)：225mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：3.5Ω@10V,220mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.6V@1mA
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):240V 连续漏极电流(Id):0.1A 功率(Pd):0.35W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):9.07Ω@4.5V,0.09A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.4V@56μA
