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产品名称：中压MOS管SL9945
类型：双N沟道
漏源电压(Vdss)：60V
连续漏极电流(Id)：3.6A
功率(Pd)：2.1W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：89mΩ@10V,3.6A
阈值电压(Vgs(th)@Id)：1V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)：3.6nC@4.5V
工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
封装：SOP-8
产品介绍：
SL9945是一款双N沟道中压MOS管，漏源电压为60V，连续漏极电流为3.6A，功率为2.1W。其导通电阻为89mΩ@10V,3.6A，阈值电压为1V@250uA，栅极电荷为3.6nC@4.5V。SL9945可在-55℃~+150℃@(Tj)的温度范围内工作，并采用SOP-8封装。SL9945适用于电源管理、电机控制、照明和无线充电等应用。
| 文件名称 | 标题 | 说明 |
|---|---|---|
| SL9945.pdf | SL9945 | - |
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类型:P沟道 漏源电压(Vdss):-60V 连续漏极电流(Id):-30A 功率(Pd):50W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):26mΩ@-10V,-15A 阈值电压(Vgs(th)@Id):-1.8V@-250μA
类型:P沟道 漏源电压(Vdss):-100V 连续漏极电流(Id):-20A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):78mΩ@-10V,-10A 阈值电压(Vgs(th)@Id):-1.7V@-250uA 封装：TO-220
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):5A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):30mΩ@10V,4A 阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA 封装：SOP-8
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):200V 连续漏极电流(Id):18A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):150mΩ@10V,11A 阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id):33A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):30mΩ@10V,15A 阈值电压(Vgs(th)@Id):4.0V@250uA 封装：TO-263
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id):2A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):234mΩ@10V,1.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id):2.8V@250uA 封装：SOT-23
类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：50V 连续漏极电流(Id)：220mA 功率(Pd)：225mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：3.5Ω@10V,220mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.6V@1mA
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):240V 连续漏极电流(Id):0.1A 功率(Pd):0.35W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):9.07Ω@4.5V,0.09A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.4V@56μA
