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低压MOS管IRLML6401

类型:P沟道

漏源电压(Vdss):30V

连续漏极电流(Id):1μA

功率(Pd):450mW

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):70mΩ@4.5V

阈值电压(Vgs(th)@Id):10V

产品详情

IRLML6401_0.jpg

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