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产品名称：低压MOS管SL420NPD
SL420NPD是一款N+P互补型低压MOS管，主要用于低压高频开关电源和DC-DC转换器等场合。其TO-252-4封装具有*的散热性能，可满足高功率应用需求。
产品参数：
- 类型：N+P互补型
- 漏源电压(Vdss)：40V
- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：14mΩ@10V,12A；27mΩ@10V,8A
- 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
- 封装：TO-252-4
SL420NPD的导通电阻很低，能够提供较小的导通损耗。其漏源电压为40V，可以满足一些低压高频开关电源和DC-DC转换器的需求。该器件的N+P互补型设计，可以实现更高的效率和更低的开关损耗。此外，TO-252-4封装的*散热性能使得该器件可以在较高的功率下工作。
| 文件名称 | 标题 | 说明 |
|---|---|---|
| SL420NPD-1.pdf | SL420NPD-1 | - |
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低漏源电压：20V 连续漏极电流：2.8A 小尺寸封装：SOT-23 导通电阻：112mΩ@4.5V,2.8A 阈值电压：1V@250μA
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):25V 连续漏极电流(Id):0.22A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4Ω@4.5V,0.4A 阈值电压(Vgs(th)@Id):0.8V@250uA 封装：SOT-23
类型:P沟道 漏源电压(Vdss):-20V 连续漏极电流(Id):-1.3A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):105mΩ@-4.5V,-1.3A 阈值电压(Vgs(th)@Id):-0.7V@-250uA 封装：SOT-23
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):2A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):40mΩ@4.5V,2.0A 阈值电压(Vgs(th)@Id):0.7V@250uA 封装：SOT-23
类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：50V 连续漏极电流(Id)：3A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：3Ω@4.5V 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@250μA
类型:N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：3A 功率(Pd)：350mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：8Ω@10V,3A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@250μA
类型:P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):4A 功率(Pd):2.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):60mΩ@10V,4A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.3V@250μA
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):4A 功率(Pd)：1.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):50mΩ@10V,4A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.5V@250μA
