高压MOS管SL4N150P

高压MOS管SL4N150P

SL4N150P是萨科微高电压N沟道MOS管,超高电压、大电流,适中功率,适用于高电压中功率应用。

类型:N沟道
漏源电压(Vdss):1500V
连续漏极电流(Id):4A
功率(Pd):140W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5.8Ω@10V,1.3A
阈值电压(Vgs(th)@Id):4.5V@250μA
封装:TO-3PF

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产品名称:MOS管SL4N150P


生产商:萨科微Slkor


产品类型:N沟道


电性能参数:

漏源电压(Vdss): 1500V

连续漏极电流(Id): 4A

功率(Pd): 140W

导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id): 5.8Ω @ 10V, 1.3A

阈值电压(Vgs(th)@Id): 4.5V @ 250μA

封装规格:

封装类型: TO-3PF

产品特性与应用:

MOS管SL4N150P是一款高电压N沟道MOS场效应管,由萨科微Slkor公司生产。其超高电压、大电流和适中功率特性使其适用于高电压、中功率的电子应用。


主要特性:

超高电压承受能力: 漏源电压(Vdss)为1500V,适用于极高电压电路设计。

适中的电流承受能力: 连续漏极电流(Id)为4A,适用于中功率应用场景。

适中功率: 可以承受140W的功率,适用于适中功率负载。

相对低的导通电阻: 在10V电压和1.3A电流下,导通电阻为5.8Ω,有助于降低功耗和提高效率。

相对高的阈值电压: 阈值电压(Vgs(th)@Id)为4.5V @ 250μA,确保稳定的电路控制。

封装优势:

TO-3PF封装提供了优秀的散热性能,适用于高功率电路设计。其金属外壳和引脚设计使得它能够有效散热,保持工作温度较低。


应用领域:

MOS管SL4N150P广泛应用于高电压、中功率的电子应用,包括但不限于:

高电压稳定器: 适用于高电压稳定器电路设计。

电源开关: 适用于高电压电源开关电路。

电源逆变器: 用于高电压电源逆变器的输出控制。

安全与可靠性:

MOS管SL4N150P经过严格的质量控制和测试,确保在各种工作条件下稳定可靠。请按照产品规格书和应用注意事项正确使用。


散热设计建议:

由于超高电压和适中功率特性,建议在设计中考虑有效的散热措施,以确保MOS管工作在合适的温度范围内。


总结:

MOS管SL4N150P以其超高电压、大电流和适中功率的特性,为高电压中功率的电子系统提供了可靠的解决方案。在需要超高电压承受能力和适中功率特性的场景下,SL4N150P是一个值得考虑的选择。



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