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产品名称：高压MOS管SL4N65F
产品概述：
高压MOS管SL4N65F是一款N沟道MOS场效应管，具有650V漏源电压和4A连续漏极电流，适用于高电压、大电流场合。采用TO-220F封装，便于安装和散热。
性能参数：
- 最大漏极-源极电压：650V
- 最大漏极电流：4A
- 最大导通电阻：2.6Ω@10V,2A
- 阈值电压：4.5V@250A
- 输入电容：850pF@25V
- 反向传输电容：1.2nF@25V
- 栅极电荷：11nC@10V
- 工作温度范围：-55℃ ~ +150℃@(Tj)
应用领域：
高压MOS管SL4N65F广泛应用于需要承受高电压、大电流的场合，如电源、照明、电动工具等领域。
安装说明：
1. 请在无静电保护措施的情况下操作。
2. 安装前请清洁散热器和芯片表面，确保无尘、无油。
3. 芯片正面朝向散热片，用合适的螺丝固定。
4. 注意安装时不要损坏芯片，防止静电干扰。
注意事项：
1. 请勿将该器件用于超出规定条件的环境和用途。
2. 使用时请按照使用说明书正确操作，以免对器件造成损坏。
3. 禁止对器件进行改装和拆卸。
4. 当存储器件时，请避免超出规定的环境温度和湿度范围。
| 文件名称 | 标题 | 说明 |
|---|---|---|
| SL4N65F.pdf | SL4N65F | - |
| Proposition-65-Compliance-Report_1.pdf | Proposition-65-Compliance-Report_1 | - |
| Proposition-65-Compliance-Report_2.pdf | Proposition-65-Compliance-Report_2 | - |
| REACH.pdf | REACH | - |
| RoHS-1.pdf | RoHS-1 | - |
支持
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