显示3D模型
服务热线
0755-83044319
产品名称：高压MOS管SL4N65F
产品概述：
高压MOS管SL4N65F是一款N沟道MOS场效应管，具有650V漏源电压和4A连续漏极电流，适用于高电压、大电流场合。采用TO-220F封装，便于安装和散热。
性能参数：
- 最大漏极-源极电压：650V
- 最大漏极电流：4A
- 最大导通电阻：2.6Ω@10V,2A
- 阈值电压：4.5V@250A
- 输入电容：850pF@25V
- 反向传输电容：1.2nF@25V
- 栅极电荷：11nC@10V
- 工作温度范围：-55℃ ~ +150℃@(Tj)
应用领域：
高压MOS管SL4N65F广泛应用于需要承受高电压、大电流的场合，如电源、照明、电动工具等领域。
安装说明：
1. 请在无静电保护措施的情况下操作。
2. 安装前请清洁散热器和芯片表面，确保无尘、无油。
3. 芯片正面朝向散热片，用合适的螺丝固定。
4. 注意安装时不要损坏芯片，防止静电干扰。
注意事项：
1. 请勿将该器件用于超出规定条件的环境和用途。
2. 使用时请按照使用说明书正确操作，以免对器件造成损坏。
3. 禁止对器件进行改装和拆卸。
4. 当存储器件时，请避免超出规定的环境温度和湿度范围。
| 文件名称 | 标题 | 说明 |
|---|---|---|
| SL4N65F.pdf | SL4N65F | - |
支持
如果您需要设计/技术支持，请告知我们并填写 应答表 我们会尽快回复您。
Longevity
The Longevity Program is aimed to provide our customers information from time to time about the expected time that our products can be ordered. The NLP is reviewed and updated regularly by our executive Management Team. View our longevity program here.
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):1000V 连续漏极电流(Id):5A 功率(Pd):60W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4.2Ω 阈值电压(Vgs(th)@Id):3.5V@100μA 封装：TO-220F
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):1000V 连续漏极电流(Id):5A 功率(Pd):60W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4.2Ω 阈值电压(Vgs(th)@Id):3.5V@100μA 封装：TO-252
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):1000V 连续漏极电流(Id):5A 功率(Pd):60W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4.2Ω 阈值电压(Vgs(th)@Id):3.5V@100μA 封装：TO-220
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):1500V 连续漏极电流(Id):4A 功率(Pd):140W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5.8Ω@10V,1.3A 阈值电压(Vgs(th)@Id):4.5V@250μA 封装：TO-3PF
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):1.2kV 连续漏极电流(Id):42A 功率(Pd):300W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):80mΩ@20V,10A 阈值电压(Vgs(th)@Id):3.6V@3.8mA 栅极电荷(Qg@Vgs):76nC@-5~20V 输入电容(Ciss@Vds):1.68nF@800V 反向传输电容(Crss@Vds):6.7pF@800V 工作温度:-55℃~+175℃@(Tj)
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):650V 连续漏极电流(Id):22A 功率(Pd):36W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):150mΩ@10V,10A 阈值电压(Vgs(th)@Id):4.5V@1.7mA 封装：TO-220F
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):650V 连续漏极电流(Id):20A 功率(Pd):74W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):0.38Ω@10V,10A 阈值电压(Vgs(th)@Id):3.5V@250μA 封装：TO-220F
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):200V 连续漏极电流(Id):18A 功率(Pd):104W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):120mΩ@10V,9A 阈值电压(Vgs(th)@Id):3.0V@250μA 封装：TO-220-3L
