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产品名称:高压MOS管SL4N65F
产品概述:
高压MOS管SL4N65F是一款N沟道MOS场效应管,具有650V漏源电压和4A连续漏极电流,适用于高电压、大电流场合。采用TO-220F封装,便于安装和散热。
性能参数:
- [敏感词]漏极-源极电压:650V
- [敏感词]漏极电流:4A
- [敏感词]导通电阻:2.6Ω@10V,2A
- 阈值电压:4.5V@250A
- 输入电容:850pF@25V
- 反向传输电容:1.2nF@25V
- 栅极电荷:11nC@10V
- 工作温度范围:-55℃ ~ +150℃@(Tj)
应用领域:
高压MOS管SL4N65F广泛应用于需要承受高电压、大电流的场合,如电源、照明、电动工具等领域。
安装说明:
1. 请在无静电保护措施的情况下操作。
2. 安装前请清洁散热器和芯片表面,确保无尘、无油。
3. 芯片正面朝向散热片,用合适的螺丝固定。
4. 注意安装时不要损坏芯片,防止静电干扰。
注意事项:
1. 请勿将该器件用于超出规定条件的环境和用途。
2. 使用时请按照使用说明书正确操作,以免对器件造成损坏。
3. 禁止对器件进行改装和拆卸。
4. 当存储器件时,请避免超出规定的环境温度和湿度范围。
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