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高压MOS管SL4N65F 高压MOS管SL4N65F 高压MOS管SL4N65F
高压MOS管SL4N65F

类型:N沟道

漏源电压(Vdss):650V

连续漏极电流(Id):4A

功率(Pd):23.3W

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.6Ω@10V,2A

阈值电压(Vgs(th)@Id):4.5V@250A

产品详情

产品名称:高压MOS管SL4N65F


产品概述:

高压MOS管SL4N65F是一款N沟道MOS场效应管,具有650V漏源电压和4A连续漏极电流,适用于高电压、大电流场合。采用TO-220F封装,便于安装和散热。


性能参数:

- [敏感词]漏极-源极电压:650V

- [敏感词]漏极电流:4A

- [敏感词]导通电阻:2.6Ω@10V,2A

- 阈值电压:4.5V@250A

- 输入电容:850pF@25V

- 反向传输电容:1.2nF@25V

- 栅极电荷:11nC@10V

- 工作温度范围:-55℃ ~ +150℃@(Tj)


应用领域:

高压MOS管SL4N65F广泛应用于需要承受高电压、大电流的场合,如电源、照明、电动工具等领域。


安装说明:

1. 请在无静电保护措施的情况下操作。

2. 安装前请清洁散热器和芯片表面,确保无尘、无油。

3. 芯片正面朝向散热片,用合适的螺丝固定。

4. 注意安装时不要损坏芯片,防止静电干扰。


注意事项:

1. 请勿将该器件用于超出规定条件的环境和用途。

2. 使用时请按照使用说明书正确操作,以免对器件造成损坏。

3. 禁止对器件进行改装和拆卸。

4. 当存储器件时,请避免超出规定的环境温度和湿度范围。

SL4N65F_00.jpg

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