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产品名称：中压MOS管SL17N06D
产品类型：N沟道
产品概述：
SL3401低压MOS管和SL17N06D中压MOS管是萨科微Slkor生产的两款功率MOSFET，分别适用于不同的电压和电流需求。SL3401以其低导通电阻适用于低压应用，而SL17N06D则以其较高的电压承受能力适用于中压应用。这两款MOS管均以其高效率和可靠性，满足现代电子设计的需求。
电气参数：
- 漏源电压(Vdss): 60V
- 连续漏极电流(Id): 17A
- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 75mΩ@10V,6A
- 阈值电压(Vgs(th)@Id): 2.5V@250μA
封装：TO-252-2
额定功率(Pd): 25W
产品特点：
- 高效能N沟道MOSFET
- 低漏电流和导通电阻
- 高速开关性能
- 符合RoHS标准
应用领域：
- 电池管理
- 汽车电子
- 电源管理
- 工业自动化
注意事项：
- 静电保护：此器件是静电敏感设备（ESD），必须遵循合适的静电敏感性防护标准。
- 操作温度：-55°C到150°C
以上信息仅供参考，请在使用前仔细阅读相关规格书和应用手册。
| 文件名称 | 标题 | 说明 |
|---|---|---|
| SL17N06D.pdf | SL17N06D | - |
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萨科微slkor中压MOS管SL17N06DN1是一款N沟道中压MOS管，具有60V的漏源电压和17A的连续漏极电流，可用于高效率、高可靠性的开关模式电源、UPS电源、电动工具、照明系统等多种应用。
类型:P沟道 漏源电压(Vdss):-60V 连续漏极电流(Id):-30A 功率(Pd):50W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):26mΩ@-10V,-15A 阈值电压(Vgs(th)@Id):-1.8V@-250μA
类型:P沟道 漏源电压(Vdss):-100V 连续漏极电流(Id):-20A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):78mΩ@-10V,-10A 阈值电压(Vgs(th)@Id):-1.7V@-250uA 封装：TO-220
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):5A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):30mΩ@10V,4A 阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA 封装：SOP-8
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):200V 连续漏极电流(Id):18A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):150mΩ@10V,11A 阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id):33A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):30mΩ@10V,15A 阈值电压(Vgs(th)@Id):4.0V@250uA 封装：TO-263
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id):2A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):234mΩ@10V,1.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id):2.8V@250uA 封装：SOT-23
类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：50V 连续漏极电流(Id)：220mA 功率(Pd)：225mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：3.5Ω@10V,220mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.6V@1mA
