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产品名称：中压MOS管SL25N10
产品类型：N沟道MOS管
电气特性：
- 漏源电压(Vdss)：100V
- 连续漏极电流(Id)：25A
- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：45mΩ@10V,15A
- 阈值电压(Vgs(th)@Id)：3V@250uA
功率和温度特性：
- 最大允许功率(Pd)：34W
- 工作温度范围：-55℃~+150℃@(Tj)
封装类型：TO-252
SL25N10是一款中压N沟道MOS管，适用于需要处理高电压和高电流的应用场景，如电机控制、电源管理、照明等。该产品具有高的开关速度和导通能力，并且能够在较宽的温度范围内工作。其TO-252封装也方便了焊接和安装。
| 文件名称 | 标题 | 说明 |
|---|---|---|
| SL25N10 TO-252.pdf | SL25N10 TO-252 | - |
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SL25N10是一款高性能的N沟道MOS场效应晶体管。它设计用于在各种电子应用中提供可靠的开关和线性放大。其优秀的电气性能和高功率容忍性使其成为许多应用的理想选择。
类型:P沟道 漏源电压(Vdss):-60V 连续漏极电流(Id):-30A 功率(Pd):50W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):26mΩ@-10V,-15A 阈值电压(Vgs(th)@Id):-1.8V@-250μA
类型:P沟道 漏源电压(Vdss):-100V 连续漏极电流(Id):-20A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):78mΩ@-10V,-10A 阈值电压(Vgs(th)@Id):-1.7V@-250uA 封装：TO-220
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):5A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):30mΩ@10V,4A 阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA 封装：SOP-8
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):200V 连续漏极电流(Id):18A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):150mΩ@10V,11A 阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id):33A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):30mΩ@10V,15A 阈值电压(Vgs(th)@Id):4.0V@250uA 封装：TO-263
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id):2A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):234mΩ@10V,1.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id):2.8V@250uA 封装：SOT-23
类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：50V 连续漏极电流(Id)：220mA 功率(Pd)：225mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：3.5Ω@10V,220mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.6V@1mA
