产品名称
MOS管 SL25N10
制造商
萨科微Slkor
概述
SL25N10是一款高性能的N沟道MOS场效应晶体管。它设计用于在各种电子应用中提供可靠的开关和线性放大。其优秀的电气性能和高功率容忍性使其成为许多应用的理想选择。
电气特性
漏源电压(Vdss): 100V
连续漏极电流(Id): 25A
功率(Pd): 34W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 35mΩ@10V, 15A
阈值电压(Vgs(th)@Id): 1.8V@250μA
封装和引脚
SL25N10采用TO-252封装，具有以下引脚：
漏源极 (D): 连接到负极。
栅极 (G): 控制MOSFET的导通。
源极 (S): 连接到负载并接地。
产品优势
高电压容忍性: 适用于各种应用，包括电源系统和电机控制。
高功率处理能力: 可靠地处理大电流和高功率应用。
低导通电阻: *小化导通损耗，提高能效。
低阈值电压: 有助于实现低压控制和高效能。
应用领域
SL25N10广泛应用于：
电源设计: 包括开关电源和电源适配器。
电机驱动: 用于控制各种类型的电机。
LED照明: 作为高性能LED驱动器的组成部分。
安装和使用
在设计电路和集成SL25N10时，请参考制造商提供的技术规格和应用手册。确保适当的散热设计以维持设备的性能和可靠性。
| 文件名称 | 标题 | 说明 |
|---|---|---|
| SL25N10 TO-252.pdf | SL25N10 TO-252 | - |
支持
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中压MOS管SL25N10
SL2308是一款N沟道中压MOS管，适用于各种中压应用。其漏源电压为60V，连续漏极电流为1.8A，可满足各种中压应用需求。此外，SL2308采用*技术，具有低导通电阻，即135mΩ@10V,1.8A的RDS(on)@Vgs,Id，可实现更高效能的能量转换，提高系统效率。在中压应用中，它能够提供可靠的开关操作，使其适用于DC-DC转换器、高效能电源管理、LED照明等领域。
SL60N06是一款中压N沟道MOSFET，具有漏源电压高达60V和60A的连续漏极电流，可提供高性能的电源控制和转换功能。
SL3401低压MOS管和SL17N06D中压MOS管是萨科微Slkor生产的两款功率MOSFET，分别适用于不同的电压和电流需求。SL3401以其低导通电阻适用于低压应用，而SL17N06D则以其较高的电压承受能力适用于中压应用。这两款MOS管均以其高效率和可靠性，满足现代电子设计的需求。
萨科微slkor中压MOS管SL2308A是一款专为中压应用设计的N沟道MOSFET，其结合了优化的电气性能与紧凑的封装形式，专为需要精细电流控制和高效能源管理的电子设备而打造。该MOS管具备60V的漏源电压(Vdss)和3A的连续漏极电流(Id)能力，适用于多种中压电路中的开关、放大和调节功能。
萨科微slkor中压MOS管SL2P10A是一款专为低功耗应用设计的P沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件以其*的电气性能和可靠性，成为众多电子设计中的优选元件。通过精确控制栅极电压（Vgs），SL2P10A能够高效地调节漏极至源极之间的电流（Id），适用于需要精细电流控制的场合。
类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：150mA 功率(Pd)：250mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：3.5Ω@10V,120mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.8V@1mA 输入电容(Ciss@Vds)：40pF@25V 工作温度：+150℃@(Tj)
SL80N10是一款中压N沟道MOS管，具有漏源电压100V，连续漏极电流80A的特点，可用于高功率DC-DC转换器、电机驱动器和电源开关等应用场合。该产品导通电阻低、输入电容小、反向传输电容小，具有*的开关性能和瞬态特性。SL80N10采用TO-220封装，适用于高功率应用。
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