中压MOS管SL25N10

中压MOS管SL25N10

SL25N10是N沟道MOS场效应晶体管,该MOS管的关键参数为漏源电压Vdss为100V,连续漏极电流Id为25A,功率Pd为34W,导通电阻RDS(on)为35mΩ,阈值电压Vgs(th)为1.8V。

SL25N10是一款高性能的N沟道MOS场效应晶体管。它设计用于在各种电子应用中提供可靠的开关和线性放大。其优秀的电气性能和高功率容忍性使其成为许多应用的理想选择。

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产品名称

MOS管 SL25N10


制造商

萨科微Slkor


概述

SL25N10是一款高性能的N沟道MOS场效应晶体管。它设计用于在各种电子应用中提供可靠的开关和线性放大。其优秀的电气性能和高功率容忍性使其成为许多应用的理想选择。


电气特性

漏源电压(Vdss): 100V

连续漏极电流(Id): 25A

功率(Pd): 34W

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 35mΩ@10V, 15A

阈值电压(Vgs(th)@Id): 1.8V@250μA

封装和引脚

SL25N10采用TO-252封装,具有以下引脚:

漏源极 (D): 连接到负极。

栅极 (G): 控制MOSFET的导通。

源极 (S): 连接到负载并接地。

产品优势

高电压容忍性: 适用于各种应用,包括电源系统和电机控制。

高功率处理能力: 可靠地处理大电流和高功率应用。

低导通电阻: 最小化导通损耗,提高能效。

低阈值电压: 有助于实现低压控制和高效能。

应用领域

SL25N10广泛应用于:

电源设计: 包括开关电源和电源适配器。

电机驱动: 用于控制各种类型的电机。

LED照明: 作为高性能LED驱动器的组成部分。

安装和使用

在设计电路和集成SL25N10时,请参考制造商提供的技术规格和应用手册。确保适当的散热设计以维持设备的性能和可靠性。



支持

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