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0755-83044319
产品名称
MOS管 SL25N10
制造商
萨科微Slkor
概述
SL25N10是一款高性能的N沟道MOS场效应晶体管。它设计用于在各种电子应用中提供可靠的开关和线性放大。其优秀的电气性能和高功率容忍性使其成为许多应用的理想选择。
电气特性
漏源电压(Vdss): 100V
连续漏极电流(Id): 25A
功率(Pd): 34W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 35mΩ@10V, 15A
阈值电压(Vgs(th)@Id): 1.8V@250μA
封装和引脚
SL25N10采用TO-252封装，具有以下引脚：
漏源极 (D): 连接到负极。
栅极 (G): 控制MOSFET的导通。
源极 (S): 连接到负载并接地。
产品优势
高电压容忍性: 适用于各种应用，包括电源系统和电机控制。
高功率处理能力: 可靠地处理大电流和高功率应用。
低导通电阻: 最小化导通损耗，提高能效。
低阈值电压: 有助于实现低压控制和高效能。
应用领域
SL25N10广泛应用于：
电源设计: 包括开关电源和电源适配器。
电机驱动: 用于控制各种类型的电机。
LED照明: 作为高性能LED驱动器的组成部分。
安装和使用
在设计电路和集成SL25N10时，请参考制造商提供的技术规格和应用手册。确保适当的散热设计以维持设备的性能和可靠性。
| 文件名称 | 标题 | 说明 |
|---|---|---|
| SL25N10 TO-252.pdf | SL25N10 TO-252 | - |
支持
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中压MOS管SL25N10
类型:P沟道 漏源电压(Vdss):-60V 连续漏极电流(Id):-30A 功率(Pd):50W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):26mΩ@-10V,-15A 阈值电压(Vgs(th)@Id):-1.8V@-250μA
类型:P沟道 漏源电压(Vdss):-100V 连续漏极电流(Id):-20A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):78mΩ@-10V,-10A 阈值电压(Vgs(th)@Id):-1.7V@-250uA 封装：TO-220
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):5A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):30mΩ@10V,4A 阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA 封装：SOP-8
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):200V 连续漏极电流(Id):18A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):150mΩ@10V,11A 阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id):33A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):30mΩ@10V,15A 阈值电压(Vgs(th)@Id):4.0V@250uA 封装：TO-263
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id):2A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):234mΩ@10V,1.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id):2.8V@250uA 封装：SOT-23
类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：50V 连续漏极电流(Id)：220mA 功率(Pd)：225mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：3.5Ω@10V,220mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.6V@1mA
