高压MOS管SL12N100

高压MOS管SL12N100

SL12N100是萨科微生产的高电压N沟道MOS管,具备大电流和中高功率特性,适用于中高电压、中高功率应用。

类型:N沟道
漏源电压(Vdss):1000V
连续漏极电流(Id):12A
功率(Pd):272W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.0Ω@10V,6A
阈值电压(Vgs(th)@Id):5.0V@250μA
封装:TO-220

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产品名称:MOS管SL12N100


生产商:萨科微Slkor


产品类型:N沟道


电性能参数:

漏源电压(Vdss): 1000V

连续漏极电流(Id): 12A

功率(Pd): 272W

导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id): 1.0Ω @ 10V, 6A

阈值电压(Vgs(th)@Id): 5.0V @ 250μA

封装规格:

封装类型: TO-220

产品特性与应用:

MOS管SL12N100是一款高电压N沟道MOS场效应管,由萨科微Slkor公司生产。其高电压、较大电流和中高功率特性使其适用于中高电压、中高功率的电子应用。


主要特性:

中高电压承受能力: 漏源电压(Vdss)为1000V,适用于中高电压电路设计。

较大的电流承受能力: 连续漏极电流(Id)为12A,适用于中电流应用场景。

中高功率: 可以承受272W的功率,适用于中高功率负载。

低导通电阻: 在10V电压和6A电流下,导通电阻为1.0Ω,有助于降低功耗和提高效率。

相对高的阈值电压: 阈值电压(Vgs(th)@Id)为5.0V @ 250μA,确保稳定的电路控制。

封装优势:

TO-220封装广泛应用于功率器件,其外形适用于表面贴装技术,为高密度电路板设计提供了便利。


应用领域:

MOS管SL12N100广泛应用于中高电压、中高功率的电子应用,包括但不限于:

电源开关: 适用于中高电压电源开关电路。

电源逆变器: 用于中高电压电源逆变器的输出控制。

中高功率电机驱动: 用于中高功率电机控制电路。

安全与可靠性:

MOS管SL12N100经过严格的质量控制和测试,确保在各种工作条件下稳定可靠。请按照产品规格书和应用注意事项正确使用。


散热设计建议:

由于中高电压和中高功率特性,建议在设计中考虑有效的散热措施,以确保MOS管工作在合适的温度范围内。


总结:

MOS管SL12N100以其中高电压、较大电流和中高功率的特性,为中高电压中高功率的电子系统提供了可靠的解决方案。在需要中高电压承受能力和中高功率特性的场景下,SL12N100是一个值得考虑的选择。



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