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MOS场效应管
高压MOS管
漏源电压(Vdss)：450V
连续漏极电流(Id)：13A
功率(Pd)：39W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：470mΩ@10V,5.5A
阈值电压(Vgs(th)@Id)：4V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)：15nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)：970pF@25V
反向传输电容(Crss@Vds)：2.8pF@25V
工作温度：+150℃@(Tj)
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