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产品名称：MOS管 SL8N65CD
生产商：萨科微Slkor
产品类型：N沟道
产品概述：
SL8N65CD是由萨科微（Slkor）生产的N沟道MOS场效应管，专为要求高电压和中等功率的应用而设计。其*的电气性能和可靠性使其成为多种场合下的理想选择。
电性能参数：
漏源电压（Vdss）： 650V
连续漏极电流（Id）： 8A
功率（Pd）： 69W
导通电阻（RDS(on)@Vgs, Id）： 550mΩ @ 10V, 2.5A
阈值电压（Vgs(th)@Id）： 4.5V @ 250μA
封装类型： TO-252
产品特点：
高电压： SL8N65CD具有650V的漏源电压，适用于高电压应用场景。
适中功率： 69W的功率使其成为中等功率需求的理想选择。
低导通电阻： 具有550mΩ的低导通电阻，有助于提高效率。
应用领域：
电源管理： 用于高压电源单元和逆变器。
照明控制： 适用于LED照明系统中的功率开关。
工业电子： 在要求高电压和适中功率的工业设备中发挥作用。
注意： 以上信息仅供参考，请查阅详细的产品规格表以获取准确和最新的数据。如需更多信息或特定要求，请随时联系我们。
| 文件名称 | 标题 | 说明 |
|---|---|---|
| SL8N65CD TO-252.pdf | SL8N65CD TO-252 | - |
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类型:N沟道 漏源电压(Vdss):1000V 连续漏极电流(Id):5A 功率(Pd):60W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4.2Ω 阈值电压(Vgs(th)@Id):3.5V@100μA 封装：TO-220F
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):1000V 连续漏极电流(Id):5A 功率(Pd):60W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4.2Ω 阈值电压(Vgs(th)@Id):3.5V@100μA 封装：TO-252
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):1000V 连续漏极电流(Id):5A 功率(Pd):60W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4.2Ω 阈值电压(Vgs(th)@Id):3.5V@100μA 封装：TO-220
类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：4A 功率(Pd)：23.3W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2.6Ω@10V,2A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：4.5V@250A
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):1500V 连续漏极电流(Id):4A 功率(Pd):140W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5.8Ω@10V,1.3A 阈值电压(Vgs(th)@Id):4.5V@250μA 封装：TO-3PF
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):1.2kV 连续漏极电流(Id):42A 功率(Pd):300W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):80mΩ@20V,10A 阈值电压(Vgs(th)@Id):3.6V@3.8mA 栅极电荷(Qg@Vgs):76nC@-5~20V 输入电容(Ciss@Vds):1.68nF@800V 反向传输电容(Crss@Vds):6.7pF@800V 工作温度:-55℃~+175℃@(Tj)
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):650V 连续漏极电流(Id):22A 功率(Pd):36W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):150mΩ@10V,10A 阈值电压(Vgs(th)@Id):4.5V@1.7mA 封装：TO-220F
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):650V 连续漏极电流(Id):20A 功率(Pd):74W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):0.38Ω@10V,10A 阈值电压(Vgs(th)@Id):3.5V@250μA 封装：TO-220F
