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产品名称：高压MOS管 SL18N50F
封装类型：TO-220F
概述：
SL18N50F是一款高压N沟道MOS管，适用于各种高压开关应用。该器件具有低导通电阻、低阈值电压和快速开关速度等优秀特性。
应用领域：
- 电源管理
- 电机驱动
- 开关模块
性能参数：
| 参数 | 符号 | 值 |
|---|---|---|
| 漏源电压 | Vdss | 500V |
| 连续漏极电流 | Id | 18A |
| 功率 | Pd | 60W |
| 导通电阻 | RDS(on)@Vgs,Id | 0.32Ω@10V,9A |
| 阈值电压 | Vgs(th)@Id | 4V@250μA |
总结：
SL18N50F是一款低导通电阻、低阈值电压、快速开关速度的高压N沟道MOS管，适用于各种高压开关应用，如电源管理、电机驱动和开关模块等。其TO-220F封装，使其在PCB设计中具有*的散热性能，从而保证器件的高可靠性。
| 文件名称 | 标题 | 说明 |
|---|---|---|
| SL18N50F TO-220F.pdf | SL18N50F TO-220F | - |
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类型:N沟道 漏源电压(Vdss):1000V 连续漏极电流(Id):5A 功率(Pd):60W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4.2Ω 阈值电压(Vgs(th)@Id):3.5V@100μA 封装：TO-220F
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):1000V 连续漏极电流(Id):5A 功率(Pd):60W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4.2Ω 阈值电压(Vgs(th)@Id):3.5V@100μA 封装：TO-252
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):1000V 连续漏极电流(Id):5A 功率(Pd):60W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4.2Ω 阈值电压(Vgs(th)@Id):3.5V@100μA 封装：TO-220
类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：4A 功率(Pd)：23.3W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2.6Ω@10V,2A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：4.5V@250A
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):1500V 连续漏极电流(Id):4A 功率(Pd):140W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5.8Ω@10V,1.3A 阈值电压(Vgs(th)@Id):4.5V@250μA 封装：TO-3PF
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):1.2kV 连续漏极电流(Id):42A 功率(Pd):300W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):80mΩ@20V,10A 阈值电压(Vgs(th)@Id):3.6V@3.8mA 栅极电荷(Qg@Vgs):76nC@-5~20V 输入电容(Ciss@Vds):1.68nF@800V 反向传输电容(Crss@Vds):6.7pF@800V 工作温度:-55℃~+175℃@(Tj)
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):650V 连续漏极电流(Id):22A 功率(Pd):36W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):150mΩ@10V,10A 阈值电压(Vgs(th)@Id):4.5V@1.7mA 封装：TO-220F
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):650V 连续漏极电流(Id):20A 功率(Pd):74W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):0.38Ω@10V,10A 阈值电压(Vgs(th)@Id):3.5V@250μA 封装：TO-220F
