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萨科微中压MOS管2N7002 SOT-23 萨科微中压MOS管2N7002 SOT-23 萨科微中压MOS管2N7002 SOT-23
萨科微中压MOS管2N7002 SOT-23
类型:N沟道

漏源电压(Vdss):60V

连续漏极电流(Id):115mA

功率(Pd):225mW

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):7.5Ω@10V,500mA

阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250μA

产品详情

产品概述:


中压MOS管2N7002是一种N沟道功率MOSFET器件。它具有漏源电压高达60V和连续漏极电流115mA的特性,可用于许多应用场合,如低电流驱动应用、DC-DC转换器、电源管理和电池管理等。


主要特性:

- 漏源电压高:器件漏源电压高达60V,可适应各种电源电压要求。

- 高效导通:导通电阻低,最小值为7.5Ω,能够提供更高的效率。

- 高阈值电压:阈值电压高达2.5V,具有更好的抗干扰能力。

- 小封装:采用SOT-23封装,尺寸小巧,便于布局设计和集成。


产品规格:

- 产品名称:中压MOS管2N7002

- 类型:N沟道

- 漏源电压(Vdss):60V

- 连续漏极电流(Id):115mA

- 功率(Pd):225mW

- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):7.5Ω@10V,500mA

- 阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250μA

- 封装:SOT-23


应用领域:

- 低电流驱动应用

- DC-DC转换器

- 电源管理

- 电池管理


注意事项:

- 此产品需在指定条件下使用,超过规定条件可能会影响性能。

- 请在静电防护条件下进行器件操作和存储,以免影响器件质量和寿命。

- 在进行器件操作时,请勿超过[敏感词]额定值,以避免器件损坏和安全问题。

- 请勿在超过规定温度下使用此产品,以避免影响器件寿命和性能。

2N7002_00.jpg

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