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产品概述：
萨科微slkor中压MOS管2N7002是一种N沟道功率MOSFET器件。它具有漏源电压高达60V和连续漏极电流115mA的特性，可用于许多应用场合，如低电流驱动应用、DC-DC转换器、电源管理和电池管理等。
主要特性：
- 漏源电压高：器件漏源电压高达60V，可适应各种电源电压要求。
- 高效导通：导通电阻低，最小值为7.5Ω，能够提供更高的效率。
- 高阈值电压：阈值电压高达2.5V，具有更好的抗干扰能力。
- 小封装：采用SOT-23封装，尺寸小巧，便于布局设计和集成。
产品规格：
- 产品名称：中压MOS管2N7002
- 类型：N沟道
- 漏源电压(Vdss)：60V
- 连续漏极电流(Id)：115mA
- 功率(Pd)：225mW
- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：7.5Ω@10V,500mA
- 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.5V@250μA
- 封装：SOT-23
应用领域：
- 低电流驱动应用
- DC-DC转换器
- 电源管理
- 电池管理
注意事项：
- 此产品需在指定条件下使用，超过规定条件可能会影响性能。
- 请在静电防护条件下进行器件操作和存储，以免影响器件质量和寿命。
- 在进行器件操作时，请勿超过最大额定值，以避免器件损坏和安全问题。
- 请勿在超过规定温度下使用此产品，以避免影响器件寿命和性能。
| 文件名称 | 标题 | 说明 |
|---|---|---|
| 2N7002.pdf | 2N7002 | - |
支持
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Longevity
The Longevity Program is aimed to provide our customers information from time to time about the expected time that our products can be ordered. The NLP is reviewed and updated regularly by our executive Management Team. View our longevity program here.
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):3A 功率(Pd):350mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3Ω@4.5V 阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250μA
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):340mA 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.1Ω@4.5V,200mA 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.3V@250uA 封装：SOT-323
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):1A 功率(Pd):150mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.5Ω@10V 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.5V@250μA
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):340mA 功率(Pd):150mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5Ω@10V 阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@1mA
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):0.3A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2Ω@10V,0.3A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.5V@250uA 封装：SOT-23
类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：300mA 功率(Pd)：225mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：3Ω@10V,500mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.5V@250μA
类型:P沟道 漏源电压(Vdss):-60V 连续漏极电流(Id):-30A 功率(Pd):50W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):26mΩ@-10V,-15A 阈值电压(Vgs(th)@Id):-1.8V@-250μA
类型:P沟道 漏源电压(Vdss):-100V 连续漏极电流(Id):-20A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):78mΩ@-10V,-10A 阈值电压(Vgs(th)@Id):-1.7V@-250uA 封装：TO-220
