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MOS场效应管
中压MOS管
漏源电压(Vdss):100V
连续漏极电流(Id):150mA
功率(Pd):250mW
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3.5Ω@10V,120mA
阈值电压(Vgs(th)@Id):2.8V@1mA
输入电容(Ciss@Vds):40pF@25V
工作温度:+150℃@(Tj)
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