/ EN
13922884048

产品展示

Product display
/
/
/
/
中压MOS管 SL80N10 中压MOS管 SL80N10 中压MOS管 SL80N10
中压MOS管 SL80N10

类型:N沟道

漏源电压(Vdss):100V

连续漏极电流(Id):80A

功率(Pd):188W

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):6.6mΩ@10V,40A

阈值电压(Vgs(th)@Id):2.3V@250uA

栅极电荷(Qg@Vgs):45nC@10V

输入电容(Ciss@Vds):3.32nF@50V

反向传输电容(Crss@Vds):20pF@50V

工作温度:-55℃~+175℃@(Tj)

产品详情


产品名称:
中压MOS管 SL80N10

类型:N沟道

漏源电压(Vdss):100V

连续漏极电流(Id):80A

功率(Pd):188W

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):6.6mΩ@10V,40A

阈值电压(Vgs(th)@Id):2.3V@250uA

栅极电荷(Qg@Vgs):45nC@10V

输入电容(Ciss@Vds):3.32nF@50V

反向传输电容(Crss@Vds):20pF@50V

工作温度:-55℃~+175℃@(Tj)

封装:TO-220


产品描述:

SL80N10是一款中压N沟道MOS管,具有漏源电压100V,连续漏极电流80A的特点,可用于高功率DC-DC转换器、电机驱动器和电源开关等应用场合。该产品导通电阻低、输入电容小、反向传输电容小,具有良好的开关性能和瞬态特性。SL80N10采用TO-220封装,适用于高功率应用。


产品特点:

- 中压N沟道MOS管,漏源电压100V,连续漏极电流80A

- 导通电阻低,RDS(on)@Vgs,Id为6.6mΩ@10V,40A

- 输入电容小,Ciss@Vds为3.32nF@50V

- 反向传输电容小,Crss@Vds为20pF@50V

- 良好的开关性能和瞬态特性

- TO-220封装,适用于高功率应用


应用领域:

- 高功率DC-DC转换器

- 电机驱动器

- 电源开关

关于萨科微 Slkor:
萨科微 Slkor是一家致力于提供高品质、高性能半导体器件的制造商,拥有先进的技术和严格的质量控制体系,为客户的设计提供[敏感词]的解决方案和支持。

SL80N10_00.jpg

服务热线

0755-83044319

霍尔元件咨询

肖特基二极管咨询

TVS/ESD咨询

获取产品资料

客服微信

微信服务号