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产品名称：中压MOS管 SL80N10
类型：N沟道
漏源电压(Vdss)：100V
连续漏极电流(Id)：80A
功率(Pd)：188W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：6.6mΩ@10V,40A
阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.3V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)：45nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)：3.32nF@50V
反向传输电容(Crss@Vds)：20pF@50V
工作温度：-55℃~+175℃@(Tj)
封装：TO-220
产品描述：
SL80N10是一款中压N沟道MOS管，具有漏源电压100V，连续漏极电流80A的特点，可用于高功率DC-DC转换器、电机驱动器和电源开关等应用场合。该产品导通电阻低、输入电容小、反向传输电容小，具有*的开关性能和瞬态特性。SL80N10采用TO-220封装，适用于高功率应用。
产品特点：
- 中压N沟道MOS管，漏源电压100V，连续漏极电流80A
- 导通电阻低，RDS(on)@Vgs,Id为6.6mΩ@10V,40A
- 输入电容小，Ciss@Vds为3.32nF@50V
- 反向传输电容小，Crss@Vds为20pF@50V
- *的开关性能和瞬态特性
- TO-220封装，适用于高功率应用
应用领域：
- 高功率DC-DC转换器
- 电机驱动器
- 电源开关
关于萨科微 Slkor：
萨科微 Slkor是一家致力于提供高品质、高性能半导体器件的制造商，拥有先进的技术和严格的质量控制体系，为客户的设计提供最佳的解决方案和支持。
| 文件名称 | 标题 | 说明 |
|---|---|---|
| SL80N10.pdf | SL80N10 | - |
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类型:P沟道 漏源电压(Vdss):-60V 连续漏极电流(Id):-30A 功率(Pd):50W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):26mΩ@-10V,-15A 阈值电压(Vgs(th)@Id):-1.8V@-250μA
类型:P沟道 漏源电压(Vdss):-100V 连续漏极电流(Id):-20A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):78mΩ@-10V,-10A 阈值电压(Vgs(th)@Id):-1.7V@-250uA 封装：TO-220
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):5A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):30mΩ@10V,4A 阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA 封装：SOP-8
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):200V 连续漏极电流(Id):18A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):150mΩ@10V,11A 阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id):33A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):30mΩ@10V,15A 阈值电压(Vgs(th)@Id):4.0V@250uA 封装：TO-263
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id):2A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):234mΩ@10V,1.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id):2.8V@250uA 封装：SOT-23
类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：50V 连续漏极电流(Id)：220mA 功率(Pd)：225mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：3.5Ω@10V,220mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.6V@1mA
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):240V 连续漏极电流(Id):0.1A 功率(Pd):0.35W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):9.07Ω@4.5V,0.09A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.4V@56μA
