中压MOS管SL80N10

中压MOS管SL80N10

SL80N10是N沟道MOS管,具有100V漏源电压(Vdss)和80A的连续漏极电流(Id)。功率为188W,导通电阻为6.6mΩ,阈值电压为2.3V,适用于高功率应用。在大电流开关和电源管理系统中表现 .。

SL80N10是一款中压N沟道MOS管,具有漏源电压100V,连续漏极电流80A的特点,可用于高功率DC-DC转换器、电机驱动器和电源开关等应用场合。该产品导通电阻低、输入电容小、反向传输电容小,具有 .的开关性能和瞬态特性。SL80N10采用TO-220封装,适用于高功率应用。

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产品名称:中压MOS管 SL80N10

类型:N沟道

漏源电压(Vdss):100V

连续漏极电流(Id):80A

功率(Pd):188W

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):6.6mΩ@10V,40A

阈值电压(Vgs(th)@Id):2.3V@250uA

栅极电荷(Qg@Vgs):45nC@10V

输入电容(Ciss@Vds):3.32nF@50V

反向传输电容(Crss@Vds):20pF@50V

工作温度:-55℃~+175℃@(Tj)

封装:TO-220


产品描述:

SL80N10是一款中压N沟道MOS管,具有漏源电压100V,连续漏极电流80A的特点,可用于高功率DC-DC转换器、电机驱动器和电源开关等应用场合。该产品导通电阻低、输入电容小、反向传输电容小,具有 .的开关性能和瞬态特性。SL80N10采用TO-220封装,适用于高功率应用。


产品特点:

- 中压N沟道MOS管,漏源电压100V,连续漏极电流80A

- 导通电阻低,RDS(on)@Vgs,Id为6.6mΩ@10V,40A

- 输入电容小,Ciss@Vds为3.32nF@50V

- 反向传输电容小,Crss@Vds为20pF@50V

- .的开关性能和瞬态特性

- TO-220封装,适用于高功率应用


应用领域:

- 高功率DC-DC转换器

- 电机驱动器

- 电源开关

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